Heteroestructura

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Se entiende por heteroestructura ideal a un único cristal de material semiconductor en el cual existiría un plano a través del cual la "identidad" de los átomos de los que tal cristal está constituido cambia bruscamente.

También en la práctica el planteo descripto es efectivo y atendible. una heteroestructura concreta en la actualidad (julio de 2006) es un cristal compuesto por elementos semiconductores heterogéneos, de diverso tipo; tales semiconductores heterogéneos se ubican en una heteroestructura concreta dispuestos estratificadamente y aproximadamente alineados en una determinada dirección (dirección de crecimiento); a esta clase de disposición se la suele llamar heteroconjunción.

Por lo que respecta a la fabricación actual de heteroestructuras, ya existe la posibilidad de depositar elementos químicos con extrema precisión (a escalas atómicas) mediante técnicas especiales como las llamadas "de crecimiento epitaxial" , esto es: mediante técnicas en las cuales se produce el pasaje de un semiconductor a otro; son técnicas tales como la MBE (sigla inglesa de Molecular Beam Epitaxy) o la MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition).
Tales técnicas permitirían depositar los materiales con tal precisión que proveerían de una gama teóricamente ilimitada de heteroestructuras; y en especial ofrecen la posibilidad de desarrollar sistemas en los cuales los portadores de carga se encontrarían confinados en espacios llamados espacios de dimensionalidad reducida.

Precisamente por estas virtudes la mayor parte de los dispositivos a semiconductores producidos actualmente (2006) están constituidos por heteroestrucuturas; por ejemplo, con heteroestructuras se confeccionan reveladores ópticos y dispositivos digitales tanto como analógicos que requieren elevadas frecuencias de funcionamiento.

Véase también[editar]