Arseniuro de indio

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Arseniuro de indio
Indium arsenide.jpg
Cristales de Arseniuro de indio
Nombre (IUPAC) sistemático
Arseniuro(III) de indio
General
Fórmula molecular InAs
Identificadores
Número CAS 1303-11-3[1]
Propiedades físicas
Estado de agregación Sólido
Apariencia Similar al silicio
Densidad 5670 kg/m3; 5,67 g/cm3
Masa molar 189.740 g/mol
Punto de fusión 942 °C (1215 K)
Estructura cristalina Cúbica
Índice de refracción 3.51
Banda prohibida 0.354(300 K) eV
Peligrosidad
NFPA 704

NFPA 704.svg

0
4
0
 
Valores en el SI y en condiciones estándar
(25 °C y 1 atm), salvo que se indique lo contrario.

El Arseniuro de indio(InAs), o monoarseniuro de indio, es un compuesto semiconductor formado por indio y arsénico.

Este material se utiliza en detectores de infrarrojos, con rangos de longitud de onda de 1 a 3.8 μm.[2]

Debido a la alta movilidad electrónica (del orden de 40000 cm2/(V*s))[3] y a su bajo valor de banda prohibida, se utiliza en emisores de Radiación terahertz.

También se utiliza junto con el fosfuro de indio, para obtener un material con una banda prohibida dependiente de la proporción de estos componentes.

Referencias[editar]

Enlaces externos[editar]