Fosfuro de indio

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Fosfuro de indio
InPcrystal.jpg
General
Otros nombres fosfuro de indio (III)
Fórmula molecular InP
Identificadores
Número CAS 22398-80-7[1]
Propiedades físicas
Estado de agregación sólido
Densidad 4810 kg/m3; 4,81 g/cm3
Masa molar 145.792 g/mol
Punto de fusión 1062 °C (1335 K)
Estructura cristalina cúbico
Índice de refracción 3.1 (infrarrojo)
Conductividad térmica 0.68 m-1Ω-1
Banda prohibida 1344 eV
Valores en el SI y en condiciones estándar
(25 °C y 1 atm), salvo que se indique lo contrario.

El fosfuoro de indio (InP) es un compuesto formado por fósforo e indio. Es un material semiconductor similar al arseniuro de galio.

Propiedades[editar]

El compuesto posee una estructura cristalina cúbica de cristales negros, ligeramente verdes.

El InP tiene una banda prohibida directa, a diferencia del arseniuro de galio, además de una alta velocidad de deriva, mayor que las del silicio o germanio.[2]

Aplicaciones[editar]

Sus propiedades de banda prohibida y alta velocidad electrónica lo hacen adecuado para construir dispositivos optoelectrónicos de alta velodidad como diodos laser, pero debido a dificultades en su utilización, actualmente solo se utiliza como substrato, para el arseniuro de indio-galio, ya que su Estructura cristalina tiene el mismo tamaño que este, 5,87 angstroms[3]

Referencias[editar]

Enlaces externos[editar]