Nitruro de galio

De Wikipedia, la enciclopedia libre
Saltar a: navegación, búsqueda
Commons-emblem-notice.svg
 
Nitruro de galio
GaNcrystal.jpg
Nombre (IUPAC) sistemático
Galio Nitruro
General
Fórmula semidesarrollada GaN
Identificadores
Número CAS 25617-97-4[1]
Número RTECS LW9640000
ChemSpider 105057
PubChem 117559

El nitruro de Galio (Galio Nitruro, GaN) es una aleación binaria de semiconductores del III/V con una banda prohibida directa que se ha venido usando en diodos emisores de luz (LEDs) desde los años noventa. Este compuesto químico es un material muy duro que tiene una estructura cristalina Wurtzita. Su amplia banda prohibida de 3.4 eV[2] le proporciona propiedades especiales para aplicaciones en optoelectrónica,[3] [4] dispositivos de alta potencia y dispositivos de alta frecuencia.

Usos en medicina[editar]

Se emplea también como un agente de quimioterapia que tiene además efectos secundarios menos agresivos que otros fármacos antineoplásicos debido a que reduce las pérdidas de calcio de los huesos durante su tratamiento.[5]

Referencias[editar]

  1. Número CAS
  2. «Ioffe Institute (GaN)». Consultado el 2012.
  3. Arakawa, Y. Res.. Progress in GaN-based quantum dots for optoelectronics applications. 8. doi:10.1109/JSTQE.2002.801675. 
  4. A. Di Carlo (2012). Tuning Optical Properties of GaN-Based Nanostructures by Charge Screening. doi:10.1002/1521-396X(200101)183:1<81::AID-PSSA81>3.0.CO;2-N. 
  5. Anales Médicos, Leiomiosarcoma duodenal e hipercalcemia,- Vol. 42, n.º 3 - Revista, Jul-Sep 1997 - Página 114