Laboratorio Shockley de Semiconductores

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El Laboratorio Shockley de Semiconductores, es el primer laboratorio de la compañía de transistores Shockley, fue la primera compañía en emplear dispositivos semiconductores de silicio y que luego pasó a ser conocido como Silicon Valley. Fue comprada por Clevite en 1960, y oficialmente cerrado y poco de después fue vendido a ITT En 1968. Los Ingenieros dejaron la compañía establecida en la zona, los ingenieros que dejaron esas compañías hicieron lo mismo, y pronto todo la industria fue construida en el área de la Bahía de San Francisco.

Shockley vuelve a California[editar]

William Shockley obtuvo su título de grado en Caltech y luego se va al este para completar su PHD en MIT. Se graduó en 1936 e inmediatamente comenzó a trabajar en los Laboratorios Bell. Para la década de 1930 y los 40 trabajó en dispositivos de electrones y poco a poco fue haciéndolo con materiales semiconductores. Esto lo llevó a la creación del primer transistor en 1947, en un trabajo en conjunto con John Bardeen, Walter Brattain entre otros. A principio de los años 50 una serie de eventos hicieron que Shockley se convirtiera poco a poco en una preocupación para los Gerentes de Bell, y especialmente cuando Shockley sintió menosprecio cuando Laboratorios Bell Promovió los nombres de Bardeen y a Brattain por encima del suyo al patentar el transistor. Sin embargo, otros que trabajaron con él manifestaron la razón para estos temas y era por el estilo gerencial "abrasivo" de Shockley, y fue la razón por la que fue constantemente pasado por desapercibido para la promoción dentro de esa compañía, estos temas volvieron a colación en 1953 y entonces toma un sabático y regresa a Caltech para visitar a su antiguo catedrático.

Aquí Shockley entabló una amistad con Arnold Orville Beckman quien inventó el PH-metro en 1934. Por este tiempo Shockley estaba convencido de que las capacidades naturales del silicio significaría el eventual remplazo del germanio como material primario en la construcción del transistor. Texas Instruments ha iniciado recientemente la producción del transistor de silicio (en 1954) y Shockley pensó que podía hacerlo mejor. Beckman acordó retomar los esfuerzos de Shockley concernientes a esta área, bajo la sombrilla de esta compañía, Beckman Instruments. Sin embargo, la madre de Shockley fue envejeciendo y luego enfermó por lo que decidió vivir enclaustrado en su casa ubicada en Palo Alto.

El Laboratorio Shockley de Semiconductores abrió su comercio en un pequeño lote comercial en la cercana Mountain View, California, en 1956. En principio intentó contratar trabajadores formales provenientes de los Bell Laboratory, pero ninguno de ellos querían dejar la costa este que era entonces el más alto centro de investigación tecnológica. En su lugar convocó un equipo de jóvenes científicos e ingenieros que se pusieron a diseñar un nuevo tipo de crystal-growth system que puede producir una pieza única de silicio, a la vez que dificultaba la perspectiva por los silicios de alto punto de fusión.

Diodo Shockley[editar]

Mientras continuaba trabajando en transistores, a Shockley se le ocurrió la idea de utilizar un dispositivo de cuatro capas (el transistor tiene tres) lo cual le otorgaría la posibilidad de tornarse encendido (On) o apagado (Off) sin tener que controlar las entradas. Circuitos similares requirieron varios transistores, por lo general tres, por lo que en la conmutación de redes extensas los nuevos diodos harían reducir la complejidad de estas de manera significativa. El diodo de cuatro capas es hoy en día conocido como diodo Shockley.

Shockley se había convencido de que el nuevo dispositivo sería tan importante como el transistor, y mantuvo todo el proyecto en secreto incluso dentro de la compañía. Esto lo llevó a adoptar un comportamiento paranoico que empeoraba cada vez más; un incidente muy conocido es en el que él fue convencido de que una secretaria cortó su dedo en un complot para hacerle daño y ordenó a cada uno a someterse a una prueba en el detector de mentiras de la compañía. Esto estuvo combinado con su manejo vacilante de los proyectos; a veces sentía que obtener en la producción inmediata transistores básicos era supremo; y restaría importancia al proyecto del diodo Shockley al cabo de realizar un sistema de producción "perfecto". Esto preocupó a varios empleados lo cual acarreó mini-rebeliones banales.

Los ocho traidores[editar]

Eventualmente un grupo de jóvenes empleados se acercaron al cabecera de Shockley Arnold Beckman, sugiriendo que alguien debe remplazar el rol gerencial de shockley. Al principio Beckman se mostró de acuerdo con esta sugerencia, pero al pasar el tiempo tomó una serie de decisiones en donde al final desestimó la iniciativa con esto Shockley había dejado claro que nada había cambiado. Hartos, acudieron a la compañía de Sherman Fairchild llamada Fairchild Camera and Instrument, y a Eastern U.S. company con contratos militares considerables. En 1957, Fairchild Semiconductor se inició con planes de producir transistores de silicio. Shockley los llamó Los Ocho Traidores. Julius Blank, Victor Grinich, Jean Hoerni, Eugene Kleiner, Jay Last, Gordon Moore, Robert Noyce, and Sheldon Roberts.

Luego los ocho dejarían Fairchild para iniciar sus propias compañías, entre ellas Intel, AMD y otras. En un periodo de 20 años 65 compañías diferentes fueron creadas por equipos de la primera y segunda generación que trazó sus orígenes en el valley to Shockley Semiconductor.

Shockley nunca gestionó hacer comercial el diodo de cuatro capas, en despecho eventualmente comenzó a trabajar en detalles técnicos para la puesta en producción en la década de los 60. La introducción de circuitos integrados permitió que los transistores necesarios para la producción fueran ubicados en un único "chip", de este modo anular la cantidad de partes del diseño de Shockley. Sin embargo, la compañía desarrolló otros proyectos exitosos, como el primer estudio minucioso acerca de las celdas solares, desarrolló las bases del límite de Shockley–Queisser que establece un límite superior del 30% de eficiencia en celdas solares básicas de silicio.