Isobutilgermano
"IBGe" redirige aquí. Para el organismo abreviado como "IBGE", véase Instituto Brasileño de Geografía y Estadística.
| Isobutilgermano | ||
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| General | ||
| Fórmula molecular | C4H12Ge | |
| Identificadores | ||
| Número CAS | 768403-89-0[1] | |
| ChemSpider | 21389305 | |
| PubChem | 102393253 | |
| Propiedades físicas | ||
| Masa molar | 134,015078 g/mol | |
El isobutilgermano (IBGe, fórmula química: (CH3)2CHCH2GeH3, es un compuesto de organogermanio. Es un líquido incoloro y volátil que se utiliza en MOVPE (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy) como alternativa al germano. El IBGe se utiliza en la deposición de películas de Ge y películas finas semiconductoras que contienen Ge, como el SiGe en aplicaciones de silicio tenso, y el GeSbTe en aplicaciones NAND Flash.
Propiedades[editar]
El IBGe es una fuente líquida no pirofórica para la deposición química en fase vapor (CVD) y la deposición de capas atómicas (ALD) de semiconductores. Posee una presión de vapor muy alta y es considerablemente menos peligroso que el gas germano. El IBGe también ofrece una temperatura de descomposición más baja (el inicio de la descomposición se produce a unos 325-350 °C),[2] junto con las ventajas de una baja incorporación de carbono y una reducción de las impurezas elementales del grupo principal en el germanio cultivado epitaxialmente que comprende capas como Ge, SiGe, SiGeC, silicio tenso, GeSb y GeSbTe.
Usos[editar]
Rohm and Haas (ahora parte de The Dow Chemical Company), el IMEM y el CNRS han desarrollado un proceso para hacer crecer películas de germanio sobre germanio a bajas temperaturas en un reactor de epitaxia en fase vapor metalorgánica (MOVPE) utilizando isobutilgermano. El objetivo de la investigación son los heterodispositivos Ge/III-V.[3][4] Se ha demostrado que se puede conseguir el crecimiento de películas de germanio de alta calidad a temperaturas tan bajas como 350 °C.[5][6] La baja temperatura de crecimiento de 350 °C que se consigue con este nuevo precursor ha eliminado el efecto memoria del germanio en los materiales III-V. Recientemente, el IBGe se utiliza para depositar películas epitaxiales de Ge sobre un sustrato de Si o Ge, seguido de la deposición MOVPE de capas de InGaP e InGaAs sin efecto memoria, para permitir células solares de triple unión y la integración de compuestos III-V con Silicio y Germanio. Se demostró que el isobutilgermano también podía utilizarse para el crecimiento de nanocables de germanio utilizando oro como catalizador.[7]
Referencias[editar]
- ↑ Número CAS
- ↑ Safer alternative liquid germanium precursors for relaxed graded SiGe layers and strained silicon by MOVPE; D.V. Shenai et al., Presentation at ICMOVPE-XIII, Miyazaki, Japan, June 1, 2006, and publication in Journal of Crystal Growth (2007)
- ↑ Woelk, Egbert; Shenai-Khatkhate, Deodatta V.; Dicarlo, Ronald L.; Amamchyan, Artashes; Power, Michael B.; Lamare, Bruno; Beaudoin, Grégoire; Sagnes, Isabelle (2006). «Designing novel organogermanium OMVPE precursors for high-purity germanium films». Journal of Crystal Growth 287 (2): 684-687. Bibcode:2006JCrGr.287..684W. doi:10.1016/j.jcrysgro.2005.10.094.
- ↑ Shenai-Khatkhate et al., Rohm and Haas Electronic Materials; Presentation at ACCGE-16, Montana, USA, July 11, 2005, and publication in Journal of Crystal Growth (2006)
- ↑ MOVPE growth of homoepitaxial germanium, M. Bosi et al. publication in Journal of Crystal Growth (2008)
- ↑ Homo and Hetero Epitaxy of Germanium Using Isobutylgermane, G. Attolini et al. publication in Thin Solid Films (2008)
- ↑ Growth of germanium nanowires with isobuthyl germane, M. Bosi et al. publication in Nanotechnology (2019)
Otras lecturas[editar]
- IBGe: Brief description from National Compound Semiconductor Roadmap.
- Élaboration et Physique des Structures Épitaxiées (LPN) Hétérostructures III-V pour l’optoélectronique sur Si: Article in French from LPN-CNRS, France.
- Designing Novel Organogermanium OMVPE Precursors for High-purity Germanium Films (enlace roto disponible en Internet Archive; véase el historial, la primera versión y la última).; Journal of Crystal Growth, January 25, 2006.
- Ge Precursors for Strained Si and Compound Semiconductors; Semiconductor International, April 1, 2006.
- Development of New Germanium Precursors for SiGe Epitaxy; Deo Shenai and Egbert Woelk, Presentation at 210th ECS Meeting, Cancun, Mexico, October 29, 2006.
Enlaces externos[editar]
- Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, LPN CNRS
- IMEM-CNR Institute
- Esta obra contiene una traducción derivada de «Isobutylgermane» de Wikipedia en inglés, concretamente de esta versión, publicada por sus editores bajo la Licencia de documentación libre de GNU y la Licencia Creative Commons Atribución-CompartirIgual 4.0 Internacional.