Diferencia entre revisiones de «Fotolitografía»

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La luz que se utiliza tiene una longitud de onda en la zona ultravioleta (UV) del espectro. Cuanto más corta la longitud de onda, mayor la resolución que se puede alcanzar, por lo que siempre se han ido buscado fuentes de luz (lámparas o láseres) con menor longitud de onda. Inicialmente se utilizaron lámparas de mercurio (Hg), y posteriormente empezaron a utilizarse láseres de excímero, con longitudes de onda más aún más cortas.
Actualmente se utilizan principalmente los láseres de KrF, con la longitud de onda de 248nm y ArF, con una longitud de onda de 193nm, que es lo que se conoce como Ultravioleta profundo (Deep UV o DUV en inglés)
* '''DesarrolloRevelado'''. En esta fase, la fotoresistencia está preparada para reaccionar de forma diferente a un ataque químico, dejando el patrón de la fotomáscara grabado en la placa.
* '''Introducción en el horno''' (calentamiento fuerte). Se fijan los cambios que la impresión ha realizado anteriormente.
* '''Aplicación del [[ácido nítrico]] o [[agua fuerte]]'''. Se limpian los restos de las resinas fotorresistentes, dejando la oblea con las marcas originales de la fotomáscara.
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