Diferencia entre revisiones de «Fotolitografía»

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Las [[disolución|disoluciones]] fijadoras empleadas corresponden a disoluciones con [[hidróxido de sodio]] (NaOH). Sin embargo el [[sodio]] es considerado como un componente contaminante extremadamente indeseable en la industria de fabricación de los componentes [[MOSFET]], debido a que afecta negativamente a las propiedades [[dieléctrico|aislantes]] de las puertas, en su lugar se emplea hidróxido de tetrametilo de amonio (TMAH) que está libre de sodio.
 
La capacidad para imprimir imágenes claras depende de la [[longitud de onda]] empleada en la proyección. Los fuentes de luz actuales emplean longitudes de onda en el rango del [[ultravioleta profundo]] (DUV), es decir, de longitudes de onda que varían entre los 248 y 193 nanómetros. Estas longitudes de onda permiten una capacidad de discernimiento de detalles de como máximo 50 nanómetros. Para reducir este límite de imprimaciónimpresión por debajo de los 50 nm se necesitan de otras técnicas basadas en luz de 193 nm, así como técnicas de inmersión en líquidos ([[litografía por inmersión]]).
 
Las herramientas que emplean longitudes de onda de 157 nm DUV actúan de una forma similar a los sistemas actuales de exposición. En [[2006]] la empresa [[IBM]] logró litografiar detalles menores de 30 nm.<ref>{{Cita web | nombre=Aaron | apellido=Hand | título=High-Index Lenses Push Immersion Beyond 32 nm |url=http://www.reed-electronics.com/semiconductor/article/CA6319061}}</ref> Otras técnicas empleadas hoy en día caen dentro del campo de la [[nanolitografía]].
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