Nitruro de indio

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El nitruro de indio (InN) es un material semiconductor con una pequeña banda prohibida que lo hace potencialmente útil para aplicaciones en células fotoeléctricas y electrónica de alta velocidad[1] La banda prohibida del InN ha sido ahora establecida como ~0.7 eV pero depende de la temperatura[2] (el valor anterior es 1.97 eV).[3]

La masa efectiva del electrón ha sido recientemente determinada usando mediciones con altos campos magnéticos [4] [5] como m*=0.055 m0. En aleación con el nitruro de galio (GaN) forma el sistema ternario nitruro de galio-indio (InGaN) que tiene una banda prohibida directa desde el intervalo infrarrojo (0.65eV) hasta el ultravioleta (3.4eV)

Referencias[editar]

  1. T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff (Eds), Indium Nitride and Related Alloys (CRC Press, 2009)
  2. V. Yu. Davydov et al. (2002). «Absorption and Emission of Hexagonal InN. Evidence of Narrow Fundamental Band Gap» (free download pdf). Phys. Stat. Solidi (b) 229:  p. R1. http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InN/doc/dvdv02pss229_1.pdf. 
  3. «Ioffe Institute (InN)». Consultado el 2012.
  4. Goiran, Michel; et al.,, (2010). «Electron cyclotron effective mass in indium nitride». APPLIED PHYSICS LETTERS 96:  pp. 052117. doi:10.1063/1.3304169. Bibcode2010ApPhL..96e2117G. 
  5. Millot, Marius; et al., (2011). «Determination of effective mass in InN by high-field oscillatory magnetoabsorption spectroscopy». Phys. Rev. B 83:  pp. 125204. doi:10.1103/PhysRevB.83.125204. Bibcode2011PhRvB..83l5204M. http://prb.aps.org/abstract/PRB/v83/i12/e125204.