Carburo de silicio
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Carburo de silicio
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| Nombre (IUPAC) sistemático | |||
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| Carburo de silicio | |||
| General | |||
| Otros nombres | Methanidylidynesilylium Carborundo Moissanita |
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| Fórmula molecular | SiC | ||
| Identificadores | |||
| Número CAS | 409-21-2 | ||
| PubChem | |||
| ChemSpider | 9479 | ||
| ChEBI | 29390 | ||
| Número RTECS | VW0450000 | ||
| Propiedades físicas | |||
| Apariencia | Cristales incoloros | ||
| Densidad | 3.210 kg/m3; 3.21 g/cm3 | ||
| Masa molar | n/d | ||
| Punto de descomposición | 3003 K ( °C) | ||
| Índice de refracción | 2,55 (infrarrojos; todos los politipos)[1] | ||
| Propiedades químicas | |||
| Peligrosidad | |||
| NFPA 704 |
0
1
0
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| Número RTECS | VW0450000 | ||
| Valores en el SI y en condiciones normales (0 °C y 1 atm), salvo que se indique lo contrario. Exenciones y referencias |
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Descubierto por Edward Goodrich Acheson, el carburo de silicio, también llamado carborundo, (SiC) es un carburo covalente de estequiomería 1:1 y que tiene una estructura de diamante, a pesar del diferente tamaño del C y Si, que podría impedir la misma. Es casi tan duro como el diamante.
Es un compuesto que se puede denominar aleación sólida, y que se basa en que sobre la estructura anfitrión (C en forma de diamante) se cambian átomos de éste por átomos de Silicio, siempre y cuando el hueco que se deje sea similar al tamaño del átomo que lo va a ocupar.
El Carburo de Silicio se trata de un material semiconductor (~ 2,4V) y refractario que presenta muchas ventajas para ser utilizado en dispositivos que impliquen trabajar en condiciones extremas de temperatura, voltaje y frecuencia, el Carburo de Silicio puede soportar un gradiente de voltaje o de campo eléctrico hasta ocho veces mayor que el silicio o el arseniuro de galio sin que sobrevenga la ruptura, este elevado valor de campo eléctrico de ruptura le hace ser de utilidad en la fabricación de componentes que operan a elevado voltaje y alta energía como por ejemplo: diodos, transistores, supresores..., e incluso dispositivos para microondas de alta energía. A esto se suma la ventaja de poder colocar una elevada densidad de empaquetamiento en los circuitos integrados.
Gracias a la elevada velocidad de saturación de portadores de carga (2,0x107 cm−1) es posible emplear SiC para dispositivos que trabajen a altas frecuencias, ya sean Radiofrecuencias o Microondas. Por último una dureza de ~9 en la escala de Mohs le proporciona resistencia mecánica que junto a sus propiedades eléctricas hacen que dispositivos basados en SiC ofrezcan numerosos beneficios frente a otros semiconductores.
[editar] Obtención
El carburo de silicio se obtiene de arenas o cuarzo de alta pureza y coke de petróleo fusionados en horno eléctrico a más de 2000 ºC con la siguiente composición:
- SiO2 + 3 C → SiC + 2 CO
Luego pasa por un proceso de: Selección, molienda, lavado, secado, separación magnética, absorción del polvo, cribado, mezclado y envasado. Luego con este producto en distintos granos (o grosores de grano) y distintos aditivos, soportes y aglomerantes, se elaboran las lijas, discos de corte de metal, pastas para pulir, Etc.
[editar] Véase también
[editar] Referencias
- ↑ «Properties of Silicon Carbide (SiC)». Ioffe Institute. Consultado el 06-06-2009.
