Diferencia entre revisiones de «Nitruro de galio-indio»
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El '''nitruro de galio-indio''' ('''InGaN''', Indio<sub>x</sub>Galio<sub>1-x</sub>Nitruro) es un material [[Semiconductor|semiconductor]] hecho de una mezcla de [[nitruro de galio]] (GaN) y [[nitruro de Indio]] (InN). Pertenece al grupo de semiconductores [[Grupo del boro|III]]/[[grupo del nitrogeno| V]]. Su [[banda prohibida]] puede ser manipulada variando la cantidad de [[Indio]] en la [[aleación]]<ref>{{cita publicación|autores= M. Auf der Maur, K. Lorenz and A. Di Carlo. |título="Band gap engineering approaches to increase InGaN/GaN LED efficiency" |revista= Physica status solidi (c)|volumem=44 |número=3-5| página= 83-88 |año=2012|doi=10.1007/s11082-011-9536-x }}</ref> . En el InGaN, la relación para los materiales InGa es usualmente 0.02/0.98 y 0.3/0.7 |
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Revisión del 19:44 17 jun 2012
El nitruro de galio-indio (InGaN, IndioxGalio1-xNitruro) es un material semiconductor hecho de una mezcla de nitruro de galio (GaN) y nitruro de Indio (InN). Pertenece al grupo de semiconductores III/ V. Su banda prohibida puede ser manipulada variando la cantidad de Indio en la aleación[1] . En el InGaN, la relación para los materiales InGa es usualmente 0.02/0.98 y 0.3/0.7
Aplicaciones LED con InGaN
El InGaN está en una de las capas emisoras de luz de los modernos LEDs de color azul y verde. Comunmente el compuesto es crecido en una base de GaN sobre un substrato transparente, e.g. zafiro o carburo de silicio. Tiene alta capacidad calorífica y baja sensibilidad a la radiación ionizante como los otros nitruros del grupo III, lo que hacen de esta aleación potencialmente un material adecuado para construir células fotoeléctricas, especialmente para arreglos usados en satélites.
Referencias
- ↑ M. Auf der Maur, K. Lorenz and A. Di Carlo. (2012). «"Band gap engineering approaches to increase InGaN/GaN LED efficiency"». Physica status solidi (c) (3-5): 83-88. doi:10.1007/s11082-011-9536-x. Parámetro desconocido
|volumem=ignorado (ayuda)