DDR4 SDRAM

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DDR4 SDRAM (de las siglas en Inglés Double Data Rate type four Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM usadas ya desde principios de 1970.[1]

Características[editar]

Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288 pines DIMM.[2] [3] La velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 GT/s.[4]

Las memorias DDR4 SDRAM tendrán un mayor rendimiento y menor consumo que las memorias DDR predecesoras.[5] Tienen un gran ancho de banda en comparación con sus versiones anteriores.[cita requerida]

Ventajas[editar]

Sus principales ventajas en comparación con DDR2 y DDR3 son una tasa más alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (2133 a 4266 MT/s en comparación con DDR3 de 800M a 2.133MT/s),[6] la tensión es también menor a sus antecesoras (1,2 a 1,05 para DDR4 y 1,5 a 1,2 para DDR3) DDR4 también apunta un cambio en la topología descartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de memoria está conectado a un módulo único.[7] [8]

Desventajas[editar]

No es compatible con versiones anteriores por diferencias en los voltajes, interfaz física y otros factores.

Historia[editar]

Desarrollo[editar]

2005[editar]

La JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), empezó a trabajar en el desarrollo de DDR4 en el año 2005,[9] 2 años antes del lanzamiento de DDR3 (2007).[10] Se había previsto terminar la arquitectura de DDR4 para el año 2008, y desde 2007 como decía el futuro presidente de grupo DRAM del la JEDEC, llegaría a tiempo.[11]

2008[editar]

En el año 2008, un invitado de Quimonda (Industria alemana de semiconductores) en el 'San Francisco Intel Developer Forum' anunció al público presente que DDR4 tendría una arquitectura a 30 nm a 1,2 voltios, con frecuencias de 2133 MHz y que su lanzamiento sería en 2012. Además añadía que en 2013 esperaba ver módulos funcionando a 1 voltio con frecuencias de 2667 MHz.[12] [13] [14] [15]

Producción[editar]

2011[editar]

Sus especificaciones finales se dieron a conocer en el segundo semestre de 2011, antes de que Hynix produjese sus primeras memorias DDR4 SDRAM.[16]

2013[editar]

Samsung, ha anunciado que ha comenzado a producir en masa los primeros módulos de memoria DDR4 con el proceso de fabricación a 20 nm, permitiendo crear módulos de 16 GB y 32 GB. El uso de estos nuevos módulos de memoria permitirá a los servidores empresariales de próxima generación reducir el consumo y a la vez aumentar el rendimiento del sistema. Estos chips de memoria DDR4 ofrecen una tasa de transferencia de 2.667 megabits por segundo, más de un 25% superior a los chips DDR3 fabricados a 20 nm y con un consumo un 30% inferior.[17]

Lanzamiento[editar]

Se espera que las memorias DDR4 SDRAM sean lanzadas al mercado en el año 2014, junto a chipsets y placas base compatibles.[18] [19] [20]

2013[editar]

Las memorias DDR4 fueron lanzadas por INTEL inc. a finales de enero de 2013 para sectores de prueba y empresariales. Se espera que a finales de 2014 ya existan productos DDR4 en productos de consumo y para el primer semestre de 2015 memorias LPDDR4 para terminales móviles.[cita requerida]

Estándares[editar]

Estos son los estándares de memoria DDR4 actualmente en el mercado:

Nombre estándar Velocidad del reloj Tiempo entre señales Velocidad del reloj de E/S Operaciones por segundo Nombre del módulo Tasa de bits
DDR4-2133[21] [22] [23] [24] [25] 266 MHz[24] 1066 MHz[23] [24] 2133 millones[21] [26] [25] PC4-17000[21] [22] [23] [24] 17 066 MB/s[23] [24]

Tecnologías relacionadas[editar]

GDDR4[editar]

GDDR4 SGRAM (de las siglas en Inglés Graphics Double Data Rate type four Synchronous Graphics Random-Access Memory) es un tipo de memoria utilizado en las tarjetas gráficas especificado por la JEDEC.

SRAM[editar]

(Static Random Access Memory).Memoria estática de acceso aleatorio. Es el tipo de memoria que constituye lo que se denomina caché. La ventaja de la memoria DRAM, es que es mucho más barata y almacena más cantidad de información que la memoria SRAM. Por contra, la memoria SRAM es mucho más rápida que la DRAM, del orden de 4 a 6 veces mas. La utilización de componentes estáticos de memoria RAM (SRAM) resulta de gran ayuda puesto que no necesitan ningún refresco y, por lo tanto, disponen de un tiempo de acceso que en parte es inferior a los 15 nanosegundos.

En principio cabe pensar en la idea de que toda la memoria de trabajo DRAM deba ser sustituida completamente por la memoria SRAM, para así permitir intervalos de acceso más breves. Desgraciadamente la fabricación de este tipo de chips resulta mucho más cara que en el caso de la DRAM. Por esta razón es por lo que se utiliza memoria caché en cantidades limitadas: 128, 256, 512 o 1024 Kbytes.

Véase también[editar]

Referencias[editar]

  1. «The DRAM Story» (en inglés) (PDF). http://www.ieee.org/.
  2. «DDR4 Memory DIMM SODIMM Module Development 2013» (en inglés). www.simmtester.com. Consultado el 9 de septiembre de 2013.
  3. «New Memory Module Picture 2013» (en inglés). www.simmtester.com. Consultado el 9 de septiembre de 2013.
  4. «Main Memory: DDR3 & DDR4 SDRAM» (en inglés). www.jedec.org. Consultado el 9 de septiembre de 2013.
  5. «Características de las futuras memorias RAM DDR4». http://www.muycomputer.com/.
  6. «Next-Generation DDR4 Memory to Reach 4.266GHz» (en inglés). http://www.xbitlabs.com/.
  7. «【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 メモリ4Gbps時代へと向かう次世代メモリDDR4» (en japonés). http://pc.watch.impress.co.jp.
  8. «DDR4: What we can Expect» (en inglés). http://www.bit-tech.net/.
  9. Vyacheslav Sobolev. «JEDEC: Memory standards on the way» (en inglés). http://www.digitimes.com/. «Initial investigations have already started on memory technology beyond DDR3. JEDEC always has about three generations of memory in various stages of the standardization process: current generation, next generation, and future.».
  10. «DDR3 launch set for May 9th» (en inglés). http://www.theinquirer.net/.
  11. «Non-volatile memory is the secret star at JEDEC meeting» (en inglés). http://www.eetimes.com/.
  12. «IDF: "DDR3 won't catch up with DDR2 during 2009"» (en inglés). pcpro.co.uk. Consultado el 4 de agosto de 2014.
  13. «IDF: DDR4 als Hauptspeicher ab 2012» (en alemán). computerbase.de. Consultado el 4 de agosto de 2014.
  14. «Qimonda: ddr3 moving forward» (en inglés). theinquirer.net. Consultado el 4 de agosto de 2014.
  15. «IDF: DDR4 - the successor to DDR3 memory» (enlace roto disponible en Internet Archive; véase el historial y la última versión). (en inglés). h-online.com.
  16. «Hynix produces its first DDR4 modules» (en inglés). http://www.behardware.com/.
  17. «Samsung empieza a producir los primeros modulos de memoria DDR4». hardzone.es. Consultado el 4 de agosto de 2014.
  18. «DDR4 ya se muestra, tímida pero a pleno rendimiento». http://www.xataka.com/.
  19. «Las memorias DDR4 llegarán en 2014». http://www.muycomputer.com/.
  20. «DDR4 apunta al año 2014 con frecuencias mucho más altas». http://www.csi.es/+(05-04-2011).
  21. a b c «G.Skill Showcases DDR4 And More At IDF» (en inglés). vortez.net. Consultado el 30 de julio de 2014.
  22. a b «16GB DDR4 Price spotted» (en inglés). techicize.com. Consultado el 30 de julio de 2014.
  23. a b c d «Spezifikation (JEDEC)» (en alemán). elektronik-kompendium.de. Consultado el 30 de julio de 2014.
  24. a b c d e «DDR4-SDRAM» (en alemán). comptech-info.de. Consultado el 30 de julio de 2014.
  25. a b «SMART Modular Technologies» (en inglés). smartm.com. Consultado el 30 de julio de 2014.
  26. «Crucial Starts Sampling DDR4 Memory for Server Applications» (en inglés). maximumpc.com. Consultado el 30 de julio de 2014.