DDR4 SDRAM

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DDR4 SDRAM (de las siglas en Inglés Double Data Rate type four Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM usadas ya desde principios de 1970.[1]

Visión general[editar]

Las memorias DDR4 SDRAM están actualmente (2014) en fase de producción.

Características[editar]

Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288 pines DIMM.[2] [3] La velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 GT/s.[4]

Las memorias DDR4 SDRAM tendrán un mayor rendimiento y menor consumo que las memorias DDR predecesoras.[5] Tienen un gran ancho de banda en comparación con sus versiones anteriores.[cita requerida]

Ventajas[editar]

Sus principales ventajas en comparación con DDR2 y DDR3 son una tasa más alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (2133 a 4266 MT/s en comparación con DDR3 de 800M a 2.133MT/s),[6] la tensión es también menor a sus antecesoras (1,2 a 1,05 para DDR4 y 1,5 a 1,2 para DDR3) DDR4 también apunta un cambio en la topología descartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de memoria está conectado a un módulo único.[7] [8]

Desventajas[editar]
  • No es compatible con versiones anteriores por diferencias en los voltajes, interfaz física y otros factores.

Historia[editar]

Desarrollo[editar]

2005[editar]

La JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), empezó a trabajar en el desarrollo de DDR4 en el año 2005,[9] 2 años antes del lanzamiento de DDR3 (2007).[10] Se había previsto terminar la arquitectura de DDR4 para el año 2008, y desde 2007 como decía el futuro presidente de grupo DRAM del la JEDEC, llegaría a tiempo.[11]

2007[editar]

Algunas especificaciones se dieron a conocer en 2007.[12]

2008[editar]

En el año 2008, un invitado de Quimonda (Industria alemana de semiconductores) en el 'San Francisco Intel Developer Forum' anunció al público presente que DDR4 tendría una arquitectura a 30 nm a 1,2 voltios, con frecuencias de 2133 MHz - 2600mhz y que su lanzamiento sería en 2012.[13] [14] [15]

Producción[editar]

2011[editar]

Sus especificaciones finales se dieron a conocer en el segundo semestre de 2011, antes de que Hynix produjese sus primeras memorias DDR4 SDRAM.[16]

Lanzamiento[editar]

Se espera que las memorias DDR4 SDRAM sean lanzadas al mercado en el año 2014, junto a chipsets y placas base compatibles.[17] [18] [19]

Predecesor[editar]

DDR3 SDRAM[editar]

DDR3 SDRAM (de las siglas en Inglés Double Data Rate type three Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM.

Sucesor SRAM[editar]

(Static Random Access Memory).Memoria estática de acceso aleatorio. Es el tipo de memoria que constituye lo que se denomina caché. La ventaja de la memoria DRAM, es que es mucho más barata y almacena más cantidad de información que la memoria SRAM. Por contra, la memoria SRAM es mucho más rápida que la DRAM, del orden de 4 a 6 veces mas. La utilización de componentes estáticos de memoria RAM (SRAM) resulta de gran ayuda puesto que no necesitan ningún refresco y, por lo tanto, disponen de un tiempo de acceso que en parte es inferior a los 15 nanosegundos.

En principio cabe pensar en la idea de que toda la memoria de trabajo DRAM deba ser sustituida completamente por la memoria SRAM, para así permitir intervalos de acceso más breves. Desgraciadamente la fabricación de este tipo de chips resulta mucho más cara que en el caso de la DRAM. Por esta razón es por lo que se utiliza memoria caché en cantidades limitadas: 128, 256, 512 o 1024 Kbytes.

DDR4[editar]

Introducción

Samsung anunció oficialmente que el primer módulo de memoria RAM DDR4 ha sido desarrollado y fabricado. En un corto tiempo harán todo lo necesario para hacerlo de manera masiva, así luego las demás empresas comienzan a adaptar todos sus dispositivos. 

Según afirma Samsung, estos módulos de memoria serán hasta unos 40% más eficientes en lo que se refiere a consumo energético. Además alcanzarían hasta 2.1 GB por segundo de transferencia de datos, sin dudas es una tasa muy alta. 

Lanzamiento

Las memorias DDR4 fueron lanzadas por INTEL inc. a finales de enero de 2013 para sectores de prueba y empresariales. Se espera que a finales de 2014 ya existan productos DDR4 en productos de consumo y para el primer semestre de 2015 memorias LPDDR4 para terminales móviles.

GDDR4[editar]

GDDR4 SGRAM (de las siglas en Inglés Graphics Double Data Rate type four Synchronous Graphics Random-Access Memory) es un tipo de memoria utilizado en las tarjetas gráficas especificado por la JEDEC.

Véase también[editar]

Referencias[editar]

  1. «The DRAM Story» (en inglés) (PDF). http://www.ieee.org/.
  2. «DDR4 Memory DIMM SODIMM Module Development 2013» (en inglés). www.simmtester.com. Consultado el 9 de septiembre de 2013.
  3. «New Memory Module Picture 2013» (en inglés). www.simmtester.com. Consultado el 9 de septiembre de 2013.
  4. «Main Memory: DDR3 & DDR4 SDRAM» (en inglés). www.jedec.org. Consultado el 9 de septiembre de 2013.
  5. «Características de las futuras memorias RAM DDR4». http://www.muycomputer.com/.
  6. «Next-Generation DDR4 Memory to Reach 4.266GHz» (en inglés). http://www.xbitlabs.com/.
  7. «【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 メモリ4Gbps時代へと向かう次世代メモリDDR4» (en japonés). http://pc.watch.impress.co.jp.
  8. «DDR4: What we can Expect» (en inglés). http://www.bit-tech.net/.
  9. Vyacheslav Sobolev. «JEDEC: Memory standards on the way» (en inglés). http://www.digitimes.com/. «Initial investigations have already started on memory technology beyond DDR3. JEDEC always has about three generations of memory in various stages of the standardization process: current generation, next generation, and future.».
  10. «DDR3 launch set for May 9th» (en inglés). http://www.theinquirer.net/.
  11. «Non-volatile memory is the secret star at JEDEC meeting» (en inglés). http://www.eetimes.com/.
  12. «IDF: DDR4 - the successor to DDR3 memory» (en inglés). http://www.h-online.com/.
  13. «IDF: "DDR3 won't catch up with DDR2 during 2009"» (en inglés). http://www.pcpro.co.uk/.
  14. «IDF: DDR4 als Hauptspeicher ab 2012» (en alemán). http://www.computerbase.de/.
  15. «Qimonda: ddr3 moving forward» (en inglés). http://www.theinquirer.net/.
  16. «Hynix produces its first DDR4 modules» (en inglés). http://www.behardware.com/.
  17. «DDR4 ya se muestra, tímida pero a pleno rendimiento». http://www.xataka.com/.
  18. «Las memorias DDR4 llegarán en 2014». http://www.muycomputer.com/.
  19. «DDR4 apunta al año 2014 con frecuencias mucho más altas». http://www.csi.es/+(05-04-2011).