DDR4 SDRAM

De Wikipedia, la enciclopedia libre
DDR4 SDRAM
Información
Tipo norma técnica
[editar datos en Wikidata]

DDR4 (de las siglas en inglés, Double Data Rate type four Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria de computadora de acceso aleatorio (de la familia de las SDRAM usadas ya desde principios de 2013).[1]​

Características[editar]

Dos módulos de memoria de 8 GB DDR4-2133 288-pin ECC 1.2 V RDIMMs

Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288 pines DIMM.[2]​[3]​ La velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 Gb hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 Gb.[4]​

Las memorias DDR4 SDRAM tienen un mayor rendimiento y menor consumo que las memorias DDR predecesoras.[5]​ Tienen un gran ancho de banda en comparación con sus versiones anteriores.[6]​

Ventajas[editar]

Sus principales ventajas en comparación con DDR2 y DDR3 son una tasa más alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (1600 a 4400 MHz en comparación con DDR3 de 800Mhz a 2.400MHz),[7]​ la tensión es también menor a sus antecesoras (1,45 a 1,05 para DDR4 y 1,65 a 1,2 para DDR3) DDR4 también apunta un cambio en la topología descartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de memoria está conectado a un módulo único.[8]​[9]​

Desventajas[editar]

No es compatible con versiones anteriores por diferencias en los voltajes, interfaz física y otros factores. Tiene una mayor latencia, lo que reduce su rendimiento. Esa perdida de rendimiento se compensa con frecuencias y transferencias más altas al igual que pasó con las anteriores versiones de DDR.

Historia[editar]

Desarrollo[editar]

2005[editar]

La JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), empezó a trabajar en el desarrollo de DDR4 en el año 2005,[10]​ 2 años antes del lanzamiento de DDR3 (2007).[11]​ Se había previsto terminar la arquitectura de DDR4 para el año 2008, y desde 2007 como decía el futuro presidente de grupo DRAM de la JEDEC, llegaría a tiempo.[12]​

2008[editar]

En el año 2008, un invitado de Quimonda (industria alemana de semiconductores) en el San Francisco Intel Developer Forum anunció al público presente que DDR4 tendría una arquitectura a 30 nm a 1,2 voltios, con frecuencias de 2133 MHz y que su lanzamiento sería en 2012. Además añadía que en 2013 esperaba ver módulos funcionando a 1 voltio con frecuencias de 2667 MHz.[13]​[14]​[15]​[16]​

Producción[editar]

2011[editar]

Sus especificaciones finales se dieron a conocer en el segundo semestre de 2011, antes de que Hynix produjese sus primeras memorias DDR4 SDRAM.[17]​

2013[editar]

Samsung anunció ese año que había comenzado a producir en masa los primeros módulos de memoria DDR4 con el proceso de fabricación a 20 nm, permitiendo crear módulos de 16 GB y 32 GB. El uso de estos nuevos módulos de memoria permitiría a los servidores empresariales de próxima generación reducir el consumo y a la vez aumentar el rendimiento del sistema. Estos chips de memoria DDR4 ofrecen una tasa de transferencia de 2.667 megabits por segundo, más de un 25% superior a los chips DDR3 fabricados a 20 nm y con un consumo un 30% inferior.[18]​

Lanzamiento[editar]

En 2014, las primeras memorias DDR4 SDRAM fueron lanzadas al mercado, junto a chipsets y placas base compatibles.[19]​[20]​[21]​

En el primer trimestre de 2015, los primeros teléfonos móviles con memoria LPDDR4 fueron presentados, siendo estos el Samsung Galaxy S6, su variante S6 Edge, el ASUS Zenfone 2 y el LG G Flex 2.

Estándares[editar]

Estos son los estándares de memoria DDR4 actualmente en el mercado:

Nombre estándar Velocidad del reloj (MHz) Tiempo entre señales Velocidad del reloj de E/S (MHz) Operaciones por segundo Nombre del módulo Tasa de transferencia máxima (MT/s)
DDR4-1600[22]​[23]​[24]​[25]​[26]​ 200 800 MHz[24]​[25]​ 1600 millones[22]​[27]​[26]​ PC4-12800[22]​[23]​[24]​[25]​ 12800 MT/s[24]​[25]​
DDR4-1866[22]​[23]​[24]​[25]​[26]​ 233 933.33 MHz[24]​[25]​ 1866 millones[22]​[27]​[26]​ PC4-14900[22]​[23]​[24]​[25]​ 14933 MT/s[24]​[25]​
DDR4-2133[22]​[23]​[24]​[25]​[26]​ 266[25]​ 1066.67 MHz[24]​[25]​ 2133 millones[22]​[27]​[26]​ PC4-17064[22]​[23]​[24]​[25]​ 17066 MT/s[24]​[25]​
DDR4-2400[22]​[23]​[24]​[25]​[26]​ 300[25]​ 1200 MHz[24]​[25]​ 2400 millones[22]​[27]​[26]​ PC4-19200[22]​[23]​[24]​[25]​ 19200 MT/s[24]​[25]​
DDR4-2666[22]​[23]​[24]​[25]​[26]​ 333[25]​ 1333.33 MHz[24]​[25]​ 2666 millones[22]​[27]​[26]​ PC4-21328[22]​[23]​[24]​[25]​ 21328 MT/s[24]​[25]​
DDR4-3200[22]​[23]​[24]​[25]​[26]​ 400 1600 MHz 3200 millones PC4-25600 25600 MT/s[24]​[25]​

Tecnologías relacionadas[editar]

GDDR4[editar]

Artículo principal: GDDR4

GDDR4 SGRAM (de las siglas en inglés Graphics Double Data Rate type four Synchronous Graphics Random-Access Memory) es un tipo de motor utilizado en las tarjetas gráficas especificado por la JEDEC.

SRAM[editar]

Artículo principal: SRAM

(Static Random Access Memory) Memoria estática de acceso aleatorio. Es el tipo de memoria que constituye lo que se denomina caché. La ventaja de la memoria DRAM es que es mucho más barata y almacena más cantidad de información que la memoria SRAM. En cambio, la memoria SRAM es mucho más rápida que la DRAM, del orden de 4 a 6 veces más. La utilización de componentes estáticos de memoria RAM (SRAM) resulta de gran ayuda puesto que no necesitan ningún refresco y, por tanto, disponen de un tiempo de acceso que en parte es inferior a los 15 nanosegundos.

En principio cabe pensar en la idea de que toda la memoria de trabajo DRAM deba ser sustituida completamente por la memoria SRAM, para así permitir intervalos de acceso más breves. Desgraciadamente, la fabricación de este tipo de chips resulta mucho más cara que en el caso de la DRAM. Por esta razón se utiliza memoria caché en cantidades limitadas: 128, 256, 512 o 1024 Kbytes.

Véase también[editar]

Referencias[editar]

  1. ↑ «The DRAM Story» (PDF) (en inglés). http://www.ieee.org/. Archivado desde el original el 29 de junio de 2011. 
  2. ↑ «DDR4 Memory DIMM SODIMM Module Development 2013» (en inglés). www.simmtester.com. Archivado desde el original el 12 de noviembre de 2014. Consultado el 9 de septiembre de 2013. 
  3. ↑ «New Memory Module Picture 2013» (en inglés). www.simmtester.com. Archivado desde el original el 15 de mayo de 2007. Consultado el 9 de septiembre de 2013. 
  4. ↑ «Main Memory: DDR3 & DDR4 SDRAM» (en inglés). www.jedec.org. Consultado el 9 de septiembre de 2013. 
  5. ↑ «Características de las futuras memorias RAM DDR4». http://www.muycomputer.com/. 
  6. ↑ PCPRO® (21 de julio de 2018). «▷ MEMORIA RAM DDR3 VS DDR4 ✅». PCPRO®. Consultado el 24 de septiembre de 2022. 
  7. ↑ «Next-Generation DDR4 Memory to Reach 4.266GHz» (en inglés). http://www.xbitlabs.com/. Archivado desde el original el 19 de diciembre de 2010. 
  8. ↑ «【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 メモリ4Gbps時代へと向かう次世代メモリDDR4» (en japonés). http://pc.watch.impress.co.jp. 
  9. ↑ «DDR4: What we can Expect» (en inglés). http://www.bit-tech.net/. Archivado desde el original el 7 de octubre de 2015. Consultado el 7 de enero de 2012. 
  10. ↑ Vyacheslav Sobolev. «JEDEC: Memory standards on the way» (en inglés). http://www.digitimes.com/. «Initial investigations have already started on memory technology beyond DDR3. JEDEC always has about three generations of memory in various stages of the standardization process: current generation, next generation, and future.». 
  11. ↑ «DDR3 launch set for May 9th» (en inglés). http://www.theinquirer.net/. Archivado desde el original el 5 de febrero de 2010. Consultado el 7 de enero de 2012. 
  12. ↑ «Non-volatile memory is the secret star at JEDEC meeting» (en inglés). http://www.eetimes.com/. Archivado desde el original el 2 de octubre de 2012. Consultado el 7 de enero de 2012. 
  13. ↑ «IDF: "DDR3 won't catch up with DDR2 during 2009"» (en inglés). pcpro.co.uk. Archivado desde el original el 7 de junio de 2011. Consultado el 4 de agosto de 2014. 
  14. ↑ «IDF: DDR4 als Hauptspeicher ab 2012» (en alemán). computerbase.de. Consultado el 4 de agosto de 2014. 
  15. ↑ «Qimonda: ddr3 moving forward» (en inglés). theinquirer.net. Archivado desde el original el 25 de noviembre de 2010. Consultado el 4 de agosto de 2014. 
  16. ↑ «IDF: DDR4 - the successor to DDR3 memory» (en inglés). h-online.com. Archivado desde el original el 26 de mayo de 2011. 
  17. ↑ «Hynix produces its first DDR4 modules» (en inglés). http://www.behardware.com/. Archivado desde el original el 15 de abril de 2012. Consultado el 7 de enero de 2012. 
  18. ↑ «Samsung empieza a producir los primeros módulos de memoria DDR4». hardzone.es. Consultado el 4 de agosto de 2014. 
  19. ↑ «DDR4 ya se muestra, tímida pero a pleno rendimiento». http://www.xataka.com/. 
  20. ↑ «Las memorias DDR4 llegarán en 2014». http://www.muycomputer.com/. 
  21. ↑ «DDR4 apunta al año 2014 con frecuencias mucho más altas». http://www.csi.es/. 5 de abril de 2011. Archivado desde el original el 22 de noviembre de 2012. Consultado el 15 de febrero de 2013. 
  22. ↑ a b c d e f g h i j k l m n ñ o «G.Skill Showcases DDR4 And More At IDF» (en inglés). vortez.net. Consultado el 30 de julio de 2014. 
  23. ↑ a b c d e f g h i j k «16GB DDR4 Price spotted» (en inglés). techicize.com. Consultado el 30 de julio de 2014. 
  24. ↑ a b c d e f g h i j k l m n ñ o p q r s t u «Spezifikation (JEDEC)» (en alemán). elektronik-kompendium.de. Consultado el 30 de julio de 2014. 
  25. ↑ a b c d e f g h i j k l m n ñ o p q r s t u v w x «DDR4-SDRAM» (en alemán). comptech-info.de. Archivado desde el original el 8 de agosto de 2014. Consultado el 30 de julio de 2014. 
  26. ↑ a b c d e f g h i j k «SMART Modular Technologies» (en inglés). smartm.com. Archivado desde el original el 11 de agosto de 2014. Consultado el 30 de julio de 2014. 
  27. ↑ a b c d e «Crucial Starts Sampling DDR4 Memory for Server Applications» (en inglés). maximumpc.com. Consultado el 30 de julio de 2014. 
Obtenido de «https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=DDR4_SDRAM&oldid=158548864»