5 nanómetros

Procesos de fabricación de semiconductores
10.000 nm – 1971 3.000 nm – 1975 1.500 nm – 1982 1.000 nm – 1985 800 nm – 1989 600 nm – 1994 350 nm – 1995 250 nm – 1997 180 nm – 1999 130 nm – 2002 90 nm – 2004 65 nm – 2006 45 nm – 2008 32 nm – 2010 22 nm – 2012 14 nm – 2014 10 nm – 2016 7 nm – 2018 5 nm – 2020

El nodo de 5 nanómetros (5 nm) es el nodo de la tecnología que sucede al nodo de 7 nm. La denominación exacta de este nodo de la tecnología proviene de la perspectiva tecnológica de Intel. Aunque Intel aún no ha divulgado ningún plan a los fabricantes o minoristas, su hoja de ruta actual proyecta una versión de usuario-final para 2020 aproximadamente.​​ Según Bob Colwell, el nodo de 5 nm será el fin de la Ley de Moore.​

Evolución de la tecnología

En 2006 un equipo de investigadores de Corea del Instituto Coreano Avanzado de Ciencia y Tecnología (KAIST) y National Nano Feb Center co-desarrollaron un transistor de 3 nm, el dispositivo de nano-electrónica más pequeño del mundo en base a la tecnología convencional, llamado transistor de efecto campo fin (FinFET). Es el transistor más pequeño jamás producido.

En 2010, un equipo australiano anunció que fabricaron un solo transistor funcional de 7 átomos que medía 4 nm de longitud.​​​

En 2012 un transistor de un solo átomo fue fabricado utilizando un átomo de fósforo unido a una superficie de silicio (entre dos electrodos significativamente más grandes). Este transistor podría decirse que es un transistor de 180 pm (el radio de Van der Waals de un átomo de fósforo); aunque su radio covalente unido a silicio es probable menor.​ Hacer transistores más pequeños que estos requerirá usar elementos con un radio atómico más pequeño, o el uso de partículas subatómicas (como electrones o protones) como transistores.

En el futuro

Continuando con el patrón de reducir a la mitad el área de superficie de cada nodo (o la reducción de los lados cuadrados por 1,4) cada dos años, se puede esperar que la tecnología de 4 nm aparezca en más o menos 2022, 3 nm en 2024, 2 nm en 2026 y por último 1 nm en 2028, que puede ser el límite para la tecnología litográfica de semiconductores de silicio tal como se aplica actualmente.​ Como resultado a partir de 2030 puede haber un cambio en la tecnología para permitir componentes más pequeños en forma de siliceno o nanotubos de silicio.

En 2008, han sido realizados transistores de un átomo de grosor y diez átomos de ancho por investigadores del Reino Unido. Fueron tallados en grafeno, material que se espera que sustituya al silicio como base de la futura computación. El grafeno es un material hecho a partir de láminas planas de carbono en una disposición de panal. Un equipo de la Universidad de Manchester, Reino Unido, ahora lo han utilizado para hacer algunos de los más pequeños transistores del mundo. Dispositivos que sólo tienen 1 nm de diámetro y contienen solo unos pocos anillos de carbono.​

Véase también

• Transistor
• Nanómetro
• Ley de Moore

Enlaces externos

• Wired.com (en inglés)