Modelo EKV

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El modelo EKV es un modelo matemático de transistores MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) de efecto campo. Está pensado para simular circuitos electrónicos y para facilitar el diseño de circuitos analógicos.[1]

Historia[editar]

Fue desarrollado en principio por C. C. Enz, F. Krummenacher, y E. A. Vittoz (de aquí el nombre EKV) sobre 1995, tomando como base trabajos previos realizados en la década de 1980 [2] [3] [4] . Al contrario que modelos más simples (como el modelo cuadrático), el modelo EKV es preciso incluso cuando el MOSFET opera en la región subumbral (es decir, si entonces el MOSFET está en la región subumbral cuando ). Además, el modelo incorpora muchos de los efectos que aparecen en las tecnologías de fabricación submicrónicas. Como ventaja frente a otros modelos como el BSIM, podemos citar su reducido número de parámetros, y que permite cálculos manuales.

Formulación[editar]

Referencias[editar]

  1. Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications", Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design 8: 83-114, July 1995
  2. Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "A CMOS Chopper Amplifier", IEEE Journal of Solid-State Circuits 22 (3): 335-342, June 1987
  3. Oguey, H. J. & Cserveny, S., "Modele du transistor MOS valable dans un grand domaine de courants", Bull. SEW VSE , February 1982
  4. Oguey, H. J. & Cserveny, S., "MOS modelling at low current density", Summer Course on "Process and Device Modelling" ,ESAT Leuven-Heverlee, Belgium, June 1983

Véase también[editar]

Enlaces externos[editar]