GDDR6

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GDDR6, de las siglas en inglés Graphics Double Data Rate, es un modelo moderno de memoria de acceso aleatorio de gráficos sincrónicos (SGRAM) con una interfaz de ancho de banda de alto rendimiento diseñada para su uso en tarjetas gráficas, videoconsolas y computación de alto rendimiento.

Características[editar]

La especificación finalizada fue publicada por Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) en julio de 2017,[1]​ ofreciendo un mayor ancho de banda que el anterior GDDR5 por pin, llegando hasta los 16 Gbps[2]​ y con voltajes de operación más bajos (1,35V[3]​), logrando aumentar el rendimiento y disminuir el consumo de energía en relación con GDDR5.

Implementación[editar]

En el simposio anual Hot Chips celebrado en 2016 en Silicon Valley, Samsung anunció GDDR6 como sucesor de GDDR5[4][5]​ y cuya producción empezaría a partir de enero de 2018.[6]​ Samsung anunció más tarde que los primeros productos serían chips de 16 Gbps y 1,35 V.[6]

Predecesor:
GDDR5
Graphics Double Data Rate 6
2018-actualidad
Sucesor:
-

Referencias[editar]

  1. «GRAPHICS DOUBLE DATA RATE 6 (GDDR6) SGRAM STANDARD | JEDEC». www.jedec.org (en inglés). Consultado el 1 de agosto de 2018. 
  2. Shilov, Anton. «SK Hynix to Ship GDDR6 Memory for Graphics Cards by Early 2018». Consultado el 1 de agosto de 2018. 
  3. «SK Hynix's first GDDR6 RAM will initially top out at 14 Gbps». The Tech Report. Consultado el 1 de agosto de 2018. 
  4. «HBM3: Cheaper, up to 64GB on-package, and terabytes-per-second bandwidth». Ars Technica (en inglés estadounidense). Consultado el 1 de agosto de 2018. 
  5. «HBM3 and GDDR6 emerge fresh from the oven of Hot Chips». The Tech Report. Consultado el 1 de agosto de 2018. 
  6. a b «Samsung fires up its foundries for mass production of GDDR6 memory». The Tech Report. Consultado el 1 de agosto de 2018.