Discusión:CIGS
Traduccion hecha por google de CIGS de la versión inglesa, parte estructura; http://en.wikipedia.org/wiki/Copper_indium_gallium_selenide
La estructura básica de una celda de Cu (In, Ga) Se2 solares de película delgada se muestra en la imagen a la derecha. El sustrato más común es el vidrio sódico-cálcico de 1-3 mm de espesor. Esta es recubierta por una cara con molibdeno (Mo) que sirve como el metal de nuevo en contacto. El heterounión se forma entre el CIGS semiconductores y ZnO, separados por una fina capa de CdS y una capa de ZnO intrínseco. El CIGS se dopa p-tipo de defectos intrínsecos, mientras que el ZnO es dopado de tipo n en un grado mucho mayor a través de la incorporación de aluminio (Al). Esto hace que el dopaje asimétrica región de carga espacial que van mucho más allá en el CIGS que en el ZnO. Unido a este son los espesores de capa y el bandgaps de los materiales: la amplia capa de CIGS sirve como amortiguador con un gap entre 1,02 eV (CuInSe2) y 1.65 eV (CuGaSe2). La absorción se reduce al mínimo en las capas superiores, llamado ventana, por la elección de las grandes bandas prohibidas: Por ejemplo, ZnO = 3,2 eV y por ejemplo, CD = 2,4 eV. El ZnO dopado también sirve como el contacto frente a la captación de corriente. dispositivos de Balanza de laboratorio, por lo general 0,5 cm2 grandes, cuentan con una de Ni / Al de la red deposita en la parte delantera en contacto con el ZnO [10].
La producción de módulos consiste en la capa de depositon ser cortado en una serie de bandas paralelas conectadas. Otro cubierta protectora transparente se aplica al módulo. Esta construcción de sándwich se sella contra el ingreso de humedad. [11] Algunos método de soporte físico es necesario para evitar la fractura de esta frágil estructura [10].
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- Se corrigió el formato o el uso para http://www.npi.gov.au/database/substance-info/profiles/27.html
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