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Diferencia entre revisiones de «Memoria de acceso aleatorio»

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[[Archivo:Memoria RAM.JPG|thumb|290px|Módulos de memoria instalados de 256 MB cada uno en un sistema con doble canal]]
{{otros usos|RAM (desambiguación)}}
La '''memoria de acceso aleatorio''', (en [[idioma inglés|inglés]]: ''Random Access Memory'' cuyo [[acrónimo]] es '''RAM''') es la [[Memoria (informática)|memoria]] desde donde el [[procesador]] recibe las [[conjunto de instrucciones|instrucciones]] y guarda los resultados. Es el área de trabajo para la mayor parte del software de un computador.<ref name="Mueller"> {{cita libro
| apellidos =Mueller
| nombre =Scott
| enlaceautor = http://www.informit.com/authors/bio.aspx?a=96F57ED8-2FAA-4E08-BD72-5DCACD2B103A
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| editorial = QUE
| título = Upgrading and Reparing PCs
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| edición = 13
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</ref>
Existe una memoria intermedia entre el procesador y la RAM, llamada [[Memoria caché|caché]], pero ésta sólo es una copia (de acceso rápido) de la [[memoria principal]] almacenada en los módulos de RAM.<ref name="Mueller"></ref> Los módulos de RAM son la presentación comercial de este tipo de memoria, se compone de integrados soldados sobre un [[circuito impreso]].
Se trata de una memoria de [[estado sólido]] tipo [[DRAM]] en la que se puede tanto leer como escribir información. Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software. Es allí donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo. Se dicen "de acceso aleatorio" o "de acceso directo" porque se puede leer o escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posición, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la información de la manera más rápida posible.
[[Archivo:Electronic Memory.jpg|thumb|290px|Integrado de silicio de 64 bits sobre un sector de memoria de núcleo (finales de los 60)]]
La frase '''memoria RAM''' se utiliza frecuentemente para referirse a los '''módulos de memoria''' que se usan en los computadores personales y [[servidor]]es. En el sentido estricto, estos dispositivos contienen un tipo entre varios de memoria de acceso aleatorio , ya que las [[ROM]], [[memoria flash|memorias Flash]] , caché ([[SRAM]]) , los [[Registro (hardware)|registros]] en procesadores y otras unidades de procesamiento también poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posición.
En el sistema operativo [[Windows Vista]], gracias al servicio [[ReadyBoost]], es posible asignar memoria flash de un dispositivo externo USB como memoria RAM y así mejorar la velocidad del equipo informático.

== Historia ==
[[Archivo:4mbramvax.jpg|thumb|left|290px|4MB de memoria RAM para un computador [[VAX]] de finales de los 70. Los integrados de memoria DRAM están agrupados arriba a derecha e izquierda]]
[[Archivo:SIPP-Modul.jpg|thumb|left|290px|Módulos de memoria tipo [[SIPP]] instalados directamente sobre la placa base]]
La denominación “de [[Acceso aleatorio]]” surgió para diferenciarlas de las [[Memoria secuencial|memoria de acceso secuencial]], debido a que en los comienzos de la computación, las memorias principales (o primarias) de las computadoras eran siempre de tipo RAM y las memorias secundarias (o masivas) eran de acceso secuencial (cintas o tarjetas perforadas). Es frecuente pues que se hable de memoria RAM para hacer referencia a la memoria principal de una computadora, pero actualmente la denominación no es precisa.

Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de [[Memoria de toros|núcleo magnético]], desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. Antes que eso, las computadoras usaban [[relé|reles]] y [[Memoria de línea de retardo|líneas de retardo]] de varios tipos construidas con [[Válvula termoiónica|tubos de vacío]] para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.

En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de [[silicio]] por parte de [[Intel]] con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria [[DRAM]] de 1 Kilobite, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenia un desempeño mayor que la memoria de núcleos.

En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la [[Dirección de memoria|direcciones de memoria]]. [[MOSTEK]] lanzó la referencia MK4096 de 4Kb en un empaque de 16 pines,<ref>{{cita web
|url=http://www.mindspring.com/~mary.hall/mosteklives/history/10Ann/firsts.html
|título=Mostek Firsts <!--Generado por Muro Bot. Puedes ayudar a rellenar esta plantilla-->
|añoacceso=2009
|autor=
|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> mientras sus competidores las fabricaban en el empaque [[DIP]] de 22 pines. El esquema de direccionamiento<ref>http://www.datasheetarchive.com/pdf-datasheets/DataBooks/Book273-277.html</ref> se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM.
Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se instalaban en zócalos, de manera que ocupaban un área extensa de circuito impreso. Con el tiempo se hizo obvio que la instalación de RAM sobre el impreso principal, impedía la miniaturización , entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el [[SIPP]], aprovechando las ventajas de la construcción [[modularidad|modular]]. El formato [[SIMM]] fue una mejora al anterior, eliminando los pines metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las [[tarjeta de expansión|tarjetas de expansión]], de hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribución de pines.

A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento como las siguientes:
[[Archivo:SIMM-muistikampoja.jpg|thumb|200px|Módulos formato SIMM de 30 y 72 pines, los últimos fueron utilizados con integrados tipo EDO-RAM]]
*'''FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)'''
Inspirado en técnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el [[Intel 80486|Intel 486]],<ref>{{cita web
|url=http://findarticles.com/p/articles/mi_m0HPJ/is_/ai_11405923
|título=The HP Vectra 486 memory controller | Hewlett-Packard Journal | Find Articles at BNET <!--Generado por Muro Bot. Puedes ayudar a rellenar esta plantilla-->
|añoacceso=2009
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|enlaceautor=
|idioma=
}}</ref> se implanto un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas. Funciona como si deseáramos visitar todas las casas en una calle: después de la primer vez no seria necesario decir el número de la calle, únicamente seguir la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium.

*'''EDO-RAM (Extended Data Output RAM)'''
Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.

*'''BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)'''
Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a mas de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como señales de reloj.

== Módulos de memoria RAM ==
[[Archivo:BGA RAM.jpg|thumb|200px|right|Formato [[SO-DIMM]].]]
Los módulos de memoria RAM son tarjetas de [[circuito impreso]] que tienen soldados [[Circuito integrado|integrados]] de memoria [[DRAM]] por una o ambas caras. La implementación [[DRAM]] se basa en una topología de [[Circuito eléctrico]] que permite alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de cientos o miles de Kilobits. Además de DRAM, los módulos poseen un integrado que permiten la identificación del mismos ante el computador por medio del protocolo de comunicación [[Serial Presence Detect|SPD]]. La conexión con los demás componentes se realiza por medio de un área de pines en uno de los filos del circuito impreso, que permiten que el modulo al ser instalado en un zócalo apropiado de la placa base, tenga buena conexión eléctrica con los controladores de memoria y las fuentes de alimentación. Los primeros módulos comerciales de memoria eran [[SIPP]] de formato propietario, es decir no había un estándar entre distintas marcas. La necesidad de hacer intercambiable los módulos y de utilizar integrados de distintos fabricantes condujo al establecimiento de estándares de la industria como los [[JEDEC]].

*Módulos [[SIMM]] Un formato usado en computadores antiguos. tenían un bus de datos de 16 o 32 bits
*Módulos [[DIMM]] Usado en computadores de escritorio. Se caracterizan por tener un bus de datos de 64 bits.
*Módulos [[SO-DIMM]] Usado en computadores portátiles. Formato miniaturizado de DIMM.


=== Relación con el resto del sistema ===
[[Archivo:Motherboard diagram.jpg|thumb|90px|Diagrama de la arquitectura de un ordenador.]]
Dentro de la [[jerarquía de memoria]] la RAM se encuentra en un nivel después de los registros del procesador y de las caches.
Es una memoria relativamente rápida y de una capacidad media: en la actualidad (año [[2009]]), es fácil encontrar memorias con velocidades de mas de 1 Ghz y capacidades de hasta 8 GB.
La memoria RAM contenida en los módulos, se conecta a un [[controlador de memoria]] que se encarga de gestionar las señales entrantes y salientes de los integrados DRAM. Algunas señales son las mismas que se utilizan para utilizar cualquier memoria: Direcciones de las posiciones, datos almacenados y señales de control.

El controlador de memoria debe ser diseñado basándose en una [[#Tecnologías|tecnología de memoria]], por lo general soporta solo una, pero existen excepciones de sistemas cuyos controladores soportan dos tecnologías (por ejemplo SDR y DDR o DDR1 y DDR2), esto sucede en las épocas de entrada de un nuevo tipo de RAM. Los controladores de memoria en sistemas como PC y servidores se encuentran embebidos en el llamado [[Puente norte|"North Bridge"]] o dentro del mismo procesador (en el caso de los procesadores [[AMD Athlon]] e [[Intel Core i7]]) y son los encargados de manejar la mayoría de información que entra y sale del procesador.

Las señales básicas en el módulo están divididas en dos buses y un conjunto misceláneo de líneas de control y alimentación. Entre todas forman el '''bus de memoria''':

*'''Bus de datos''': Son las líneas que llevan información entre los integrados y el controlador. Por lo general están agrupados en octetos siendo de 8,16,32 y 64 bits, cantidad que debe igualar el ancho del bus de datos del procesador. En el pasado, algunos formatos de modulo, no tenían un ancho de bus igual al del procesador.En ese caso había que montar módulos en pares o en situaciones extremas, de a 4 módulos, para completar lo que se denominaba '''banco de memoria''', de otro modo el sistema no funciona. Esa es la principal razón de haber aumentar el número de pines en los módulos, igualando el ancho de bus de procesadores como el [[Pentium]] de 64 bits a principios de los 90.

*'''Bus de direcciones''': Es un bus en el cual se colocan las direcciones de memoria a las que se requiere acceder. No es igual al bus de direcciones del resto del sistema, ya que está multiplexado de manera que la dirección se envía en dos etapas.Para ello el controlador realiza temporizaciones y usa las líneas de control. En cada estándar de [[#Módulos de memoria RAM|módulo]] se establece un tamaño máximo en bits de este bus, estableciendo un límite teórico de la capacidad máxima por módulo.

*'''Señales misceláneas''': Entre las que están las de la alimentación (Vdd, Vss) que se encargan de entregar potencia a los integrados. Están las líneas de comunicación para el integrado de [[Serial Presence Detect|presencia]] que da información clave acerca del módulo. También están las líneas de control entre las que se encuentran las llamadas RAS y CAS que controlan el bus de direcciones y las señales de reloj en las memorias sincrónicas SDRAM.

Entre las características sobresalientes del controlador de memoria, está la capacidad de manejar la tecnología de canal doble ([[Dual Channel]])o tres canales, donde el controlador maneja bancos de memoria de 128 bits. Aunque el ancho del bus de datos del procesador sigue siendo de 64 bits, el controlador de memoria puede entregar los datos de manera intercalada, optando por uno u otro canal, reduciendo las latencias vistas por el procesador. La mejora en el desempeño es variable y depende de la configuración y uso del equipo. Esta característica ha promovido la modificación de los controladores de memoria, resultando en la aparición de nuevos chipsets (la serie 865 y 875 de Intel) o de nuevos zócalos de procesador en los AMD (el 939 con canal doble , reemplazo el 754 de canal sencillo). Los equipos de gama media y alta por lo general se fabrican basados en ''chipsets'' o zócalos que soportan doble canal.

== Tecnologías de memoria ==



La tecnología de memoria actual usa una señal de sincronización para realizar las funciones de lecto-escritura de manera que siempre esta sincronizada con un reloj del [[Bus (informática)|bus de memoria]], a diferencia de las antiguas memorias FPM y EDO que eran asincrónicas. Hace más de una década toda la industria se decidió por las tecnologías síncronas, ya que permiten construir integrados que funcionen a una frecuencia mayor a 66 Mhz (en la actualidad (2009) alcanzaron los 1333 Mhz).
[[Archivo:RamTypes.JPG|thumb|300px|Memorias RAM con tecnologías usadas en al actualidad]]

*'''SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic RAM)'''
{{AP|SDRAM}}
Memoria síncrona , con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos [[DIMM]] de 168 contactos. Fue utilizada en los [[Pentium II]] y en los [[Pentium III]] , así como en los [[AMD]] [[AMD K6|K6]], [[AMD Athlon]] K7 y Duron.
Está muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominación SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es así, simplemente se extendió muy rápido la denominación incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR) son Memorias Síncronas Dinámicas.

*'''DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)'''
{{AP|DDR SDRAM}}
Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en módulos [[DIMM]] de 184 contactos.

*'''DDR 2 SDRAM'''
{{AP|DDR 2 SDRAM}}
Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Se presentan en módulos [[DIMM]] de 240 contactos.

*'''DDR 3 SDRAM'''
{{AP|DDR3}}
Considerado el sucesor de la actual memoria estándar DDR 2, DDR 3 promete proporcionar significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo. Los módulos [[DIMM]] DDR 3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca.

*'''RDRAM (Rambus DRAM)'''
{{AP|RDRAM}}
Memoria de gama alta basada en un protocolo propietario creado por la empresa [[Rambus]], lo cual obliga a sus compradores a pagar regalías en concepto de uso. Esto ha hecho que el mercado se decante por la memoria DDR de uso libre, excepto algunos servidores de grandes prestaciones (Cray) y la consola PlayStation 3. Se presenta en módulos [[RIMM]] de 184 contactos.
Aunque competidora de la DDR, la RDRAM funciona de modo muy distinto: la DDR utiliza los flancos de subida y bajada del reloj para duplicar su frecuencia efectiva (hasta DDR-400) con un bus de datos de 64 bits, mientras que la RDRAM eleva la frecuencia de los chips para evitar cuellos de botella (hasta PC800) con un bus de datos de 16 bits.

== Detección y corrección de errores ==
Existen dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (''Hard fails'') que son daños en el hardware y los errores (''soft errors'') provocados por causas fortuitas. Los primeros son relativamente fáciles de detectar (en algunas condiciones el diagnóstico es equivocado), los segundos al ser resultado de eventos aleatorios, son más difíciles de hallar.
En la actualidad la confiabilidad de las memorias RAM frente a los errores, es suficientemente alta como para no realizar verificación sobre los datos almacenados, por lo menos para aplicaciones de oficina y caseras. En los usos más críticos, se aplican técnicas de corrección y detección de errores basadas en diferentes estrategias:
*La técnica del '''[[bit de paridad]]''' consiste en guardar un bit adicional por cada byte de datos, y en la lectura se comprueba si el número de unos es par (paridad par) o impar (paridad impar), detectándose así el error.
*Una técnica mejor es la que usa '''[[ECC]]''', que permite detectar errores de 1 a 4 bits y corregir errores que afecten a un sólo bit esta técnica se usa sólo en sistemas que requieren alta fiabilidad.
Por lo general los sistemas con cualquier tipo de protección contra errores tiene un costo más alto, y sufren de pequeñas penalizaciones en desempeño, con respecto a los sistemas sin protección. Para tener un sistema con ECC o paridad, el [[chipset]] y las memorias debe tener soportar esas tecnologías. La mayoría de placas base no poseen soporte.

Para los fallos de memoria se pueden utilizar herramientas de software especializadas que realizan pruebas integrales sobre los módulos de memoria RAM. Entre estos programas uno de los más conocidos es la aplicación [[Memtest86+]] que detecta fallos de memoria.

== Memoria RAM registrada ==
Es un tipo de módulo usado frecuentemente en servidores y equipos especiales. Poseen integrados que se encarga de repetir las señales de control y direcciones . Las señales de reloj son reconstruidas con ayuda de un integrado [[PLL]] que está en el módulo mismo. Las señales de datos pasan directamente del bus de memoria a los integrados de memoria DRAM.

Estas características permiten conectar múltiples módulos de memoria (más de 4) de alta capacidad sin que haya perturbaciones en las señales del controlador de memoria, haciendo posible sistemas con gran cantidad de memoria principal (8 a 16 GB). Con memorias no registradas, no es posible, debido a los problemas surgen de sobrecarga eléctrica a las señales enviadas por el controlador, fenómeno que no sucede con las registradas por estar de algún modo aisladas.

Entre las desventajas de estos módulos están el hecho de que se agrega un ciclo de retardo para cada solicitud de acceso a una posición no consecutiva y por supuesto el precio, que suele ser mucho más alto que el de las memorias de PC.
Este tipo de módulos es incompatible con los controladores de memoria que no soportan el modo registrado, a pesar de que se pueden instalar físicamente en el zócalo. Se pueden reconocer visualmente porque tienen un integrado mediano, cerca del centro geométrico del circuito impreso, además de que estos módulos suelen ser algo más altos.<ref>http://download.micron.com/pdf/datasheets/modules/ddr2/HTJ_S36C512_1Gx72.pdf</ref>

== Véase también ==
{|
|-
|
*[[Circuito integrado]]
*[[Circuito impreso]]
*[[JEDEC]]
|
*[[DRAM]]
*[[SRAM]]
*[[Acceso aleatorio]]
|
*[[Memoria principal]]
*[[Memoria ROM]]
*[[FB-DIMM]] Nuevo formato de memoria
|
*[[Serial Presence Detect|SPD]] Serial Presence Detect
*[[FRAM]] Memoria Ram Ferromagnetica
*[[VRAM]] Memoria Ram de Video
|
*[[Dual Channel]]
*[[Memoria (informática)]]
*[[Memoria volátil]]
|}

== Referencias ==
{{listaref}}

== Enlaces externos ==
{{commons|RAM|Memoria RAM}}
* [http://www.explicame.org/content/view/50/1/ Explícame: ¿Para qué sirve la memoria RAM?]
* [http://www.tomshardware.com/reviews/ram-guide,89-14.html Tomshardware: Tutorial sobre RAM de 1998] (en inglés)

[[Categoría:Hardware]]
[[Categoría:Memorias informáticas]]

[[af:Ewetoeganklike geheue]]
[[an:RAM]]
[[ar:ذاكرة الوصول العشوائي]]
[[arz:رام]]
[[az:RAM]]
[[bg:Памет с произволен достъп]]
[[bn:র‌্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমোরি]]
[[br:Memor bresk]]
[[bs:RAM]]
[[ca:RAM]]
[[cs:RAM]]
[[da:RAM]]
[[de:Random-Access Memory]]
[[el:Μνήμη τυχαίας προσπέλασης]]
[[en:Random-access memory]]
[[eo:Ĉefmemoro]]
[[et:Muutmälu]]
[[eu:RAM]]
[[ext:RAM]]
[[fa:حافظه دسترسی تصادفی]]
[[fi:Keskusmuisti]]
[[fr:Mémoire vive]]
[[fur:RAM]]
[[fy:Wurkûnthâld]]
[[ga:Cuimhne randamrochtana]]
[[gl:Memoria de acceso aleatorio]]
[[he:זיכרון גישה אקראית]]
[[hr:RAM]]
[[hu:Véletlen elérésű memória]]
[[id:RAM]]
[[is:RAM]]
[[it:RAM]]
[[ja:Random Access Memory]]
[[ka:ოპერატიული მეხსიერება]]
[[kk:Жедел Жадтау Құрылғысы]]
[[ko:랜덤 액세스 메모리]]
[[la:RAM]]
[[lmo:RAM]]
[[lv:Brīvpiekļuves atmiņa]]
[[ml:റാന്‍ഡം ആക്സസ് മെമ്മറി]]
[[ms:Ingatan capaian rawak]]
[[nl:Random-access memory]]
[[nn:Random Access Memory]]
[[no:RAM]]
[[pl:RAM]]
[[pt:Memória RAM]]
[[ro:Memorie cu acces aleator]]
[[ru:Запоминающее устройство с произвольным доступом]]
[[sah:RAM]]
[[sh:RAM]]
[[simple:Random access memory]]
[[sk:Pamäť s priamym prístupom]]
[[sl:Bralno-pisalni pomnilnik]]
[[sq:RAM]]
[[sr:RAM]]
[[sv:Random Access Memory]]
[[sw:RAM]]
[[ta:நினைவகம் (கணினியியல்)]]
[[tg:Хотираи дастраси аҳёнӣ]]
[[th:แรม]]
[[tr:RAM]]
[[uk:Оперативна пам'ять]]
[[ur:تصادفی رسائی حافظہ]]
[[vec:RAM]]
[[vi:RAM]]
[[yi:RAM זיכרון]]
[[zh:随机存取存储器]]
[[zh-yue:RAM]]

Revisión del 19:02 24 sep 2009

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