Diferencia entre revisiones de «A-RAM»
Sin resumen de edición |
Deshecha la edición 29590266 de 88.6.222.251 (disc.) |
||
| Línea 1: | Línea 1: | ||
'''A-RAM''' (''Advanced-Random Access Memory'') es un tipo de memoria [[DRAM]] basada en celdas de un sólo [[transistor]]. Esta tecnología ha sido inventada en la [[Universidad de Granada]] ([[España]]) en colaboración con el [[Centre National de la Recherche Scientifique]], CNRS ([[Francia]]). |
'''A-RAM''' (''Advanced-Random Access Memory'') es un tipo de memoria [[DRAM]] basada en celdas de un sólo [[transistor]]. Esta tecnología ha sido inventada en la [[Universidad de Granada]] ([[España]]) en colaboración con el [[Centre National de la Recherche Scientifique]], CNRS ([[Francia]]). |
||
La memoria A-RAM, a diferencia de las memorias [[DRAM]] convencionales, no necesita de ningún elemento extrínseco de almacenamiento de la información (condensador de almacenamiento). Cada bit se almacena en un transistor especialmente diseñado. A medida que la tecnología de circuitos semiconductores evolucione hacia nodos por debajo de los 45nm [http://www.itrs.net/], es de esperar que la tecnología convencional de almacenamiento no-volátil [[DRAM]] encuentre muy limitada su capacidad de escalado. Alternativamente se han propuesto nuevos conceptos de memoria basados en los efectos de cuerpo flotante de los |
La memoria A-RAM, a diferencia de las memorias [[DRAM]] convencionales, no necesita de ningún elemento extrínseco de almacenamiento de la información (condensador de almacenamiento). Cada bit se almacena en un transistor especialmente diseñado. A medida que la tecnología de circuitos semiconductores evolucione hacia nodos por debajo de los 45nm [http://www.itrs.net/], es de esperar que la tecnología convencional de almacenamiento no-volátil [[DRAM]] encuentre muy limitada su capacidad de escalado. Alternativamente se han propuesto nuevos conceptos de memoria basados en los efectos de cuerpo flotante de los transitores de silicio-sobre-aislante ([[Silicon-on-insulator]]). Estas memorias conocidas como memorias de un sólo transistor (1T-DRAM) incluyen a las tecnologías A-RAM, TT-RAM y Z-RAM [http://en.wikipedia.org/wiki/Z-RAM]. |
||
== Referencias == |
== Referencias == |
||
Revisión del 16:04 9 sep 2009
A-RAM (Advanced-Random Access Memory) es un tipo de memoria DRAM basada en celdas de un sólo transistor. Esta tecnología ha sido inventada en la Universidad de Granada (España) en colaboración con el Centre National de la Recherche Scientifique, CNRS (Francia).
La memoria A-RAM, a diferencia de las memorias DRAM convencionales, no necesita de ningún elemento extrínseco de almacenamiento de la información (condensador de almacenamiento). Cada bit se almacena en un transistor especialmente diseñado. A medida que la tecnología de circuitos semiconductores evolucione hacia nodos por debajo de los 45nm [1], es de esperar que la tecnología convencional de almacenamiento no-volátil DRAM encuentre muy limitada su capacidad de escalado. Alternativamente se han propuesto nuevos conceptos de memoria basados en los efectos de cuerpo flotante de los transitores de silicio-sobre-aislante (Silicon-on-insulator). Estas memorias conocidas como memorias de un sólo transistor (1T-DRAM) incluyen a las tecnologías A-RAM, TT-RAM y Z-RAM [2].
Referencias
- Número de patente: FR09/52452, "Point mémorie RAM à un transistor", Institut Nationalle de la Propiété Industrielle.