Archivo:20 nm width stochastic failure probability.png
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Resumen
| Descripción |
English: The probability of stochastic failure is plotted vs. pitch for 20 nm space widths at an EUV dose of ~30 mJ/cm2.[1] Points below 0.5 ppm are extrapolated. When the distance between exposed 20 nm spaces exceeds about 25-30 nm, the failure probability starts to increase. There is a contribution from secondary electron straggling in the ~20 nm range.[2] |
| Fecha | |
| Fuente | Excel |
| Autor | Guiding light |
Licencia
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| Fecha y hora | Dimensiones | Usuario | Comentario |
|---|---|---|---|
| 2018-10-21 00:57:28 | 481 × 288 | Guiding light | |
| 2018-10-20 16:14:10 | 481 × 288 | Guiding light | |
| 2018-10-20 15:32:55 | 481 × 287 | Guiding light | |
| 2018-10-20 13:36:11 | 481 × 288 | Guiding light | Uploading a self-made file using [[Wikipedia:File_Upload_Wizard|File Upload Wizard]] |
References
- ↑ P. De Bisschop and E. Hendrickx, Proc. SPIE 10583, 105831K (2018).
- ↑ A. N. Broers, IEEE Trans. Elec. Dev. 28, 1268 (1981).
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| Fecha y hora | Miniatura | Dimensiones | Usuario | Comentario | |
|---|---|---|---|---|---|
| actual | 17:49 23 feb 2019 | | 480 × 288 (10 kB) | Guiding light | x-axis range |
| 17:45 23 feb 2019 |  | 479 × 288 (8 kB) | Guiding light | Limited to 20 nm | |
| 14:18 15 dic 2018 |  | 481 × 288 (10 kB) | I love rpgs | Transferred from en.wikipedia (MTC!) (1.1.0) |
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