Corriente de saturación

La corriente de saturación, es aquella parte de la corriente inversa en un diodo semiconductor, causado por la difusión de la minoría de los portadores de regiones neutrales para el agotamiento de la región. Esta corriente es casi independiente de la tensión inversa. (Steadman 1993, 459)

I_S, la polarización inversa de saturación de la corriente para un ideal p–n del diodo, está dada por (Schubert 2006, 61):

$I_{\mathrm {S} }=eA\left({\sqrt {\frac {D_{\mathrm {p} }}{\tau _{\mathrm {p} }}}}{\frac {n_{\mathrm {i} }^{2}}{N_{\mathrm {D} }}}+{\sqrt {\frac {D_{\mathrm {n} }}{\tau _{\mathrm {n} }}}}{\frac {n_{\mathrm {i} }^{2}}{N_{\mathrm {A} }}}\right),\,$

Donde:

e es la carga elemental.

A es el área de sección transversal.

D_p,n son los coeficientes de difusión de huecos y electrones, respectivamente,

N_D, son el donante y aceptor de las concentraciones en el lado n y lado p, respectivamente,

n_i es el valor intrínseco del portador de la concentración en el material semiconductor,

el portador 'viviente' de huecos y electrones, respectivamente.

Debe tenerse en cuenta que la saturación de la corriente no es una constante para un determinado dispositivo, sino que varía con la temperatura; esta variación es la dominante terminal en el coeficiente de temperatura para un diodo. Una regla común es que se duplica por cada 10 °C de aumento en la temperatura. (Bogart 1986, 40)

Referencias

• Steadman, J. W. (1993). "Electronics" in R. C. Dorf, The Electrical Engineering Handbook. Boca Ratón: CRC Press.
• Schubert, E. Fred. (2006). "LED basics: Electrical properties" in Light-Emitting Diodes: Cambridge Press.
• Bogart, F. Theodore Jr. (1986). "Electronic Devices and Circuits": Merill Publishing Company

• Datos: Q3694418