2N3055

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El 2N3055 es un transistor NPN de potencia diseñado para aplicaciones de propósito general. Fue introducido en la década de 1960 por la firma estadounidense RCA usando el proceso hometaxial para transistores de potencia, que luego paso a una base epitaxial en la década de 1970.[1] Su numeración sigue el estándar JEDEC.[2] Es un transistor de potencia muy utilizado en una gran variedad de aplicaciones.[3] [4] [5]

El transistor 2N3055 transistor montado sobre un disipador de aluminio. Un aislante de mica aisla eléctricamente al transistor del metal del disipador de calor.

Especificaciones[editar]

Las características exactas del transistor dependen del fabricante, aunque las características típicas del dispositivo pueden ser las siguientes:

Fabricante Vcbe Ic PD hfe fT
ON-Semiconductor[6] 60V 15A 115W 20-70 2.5 MHz

El encapsulado de este transistor es del estilo TO-3.

Referencias[editar]

  1. Ellis, J.N.; Osadchy, V.S.; Zarlink Semiconductor (November 2001). «The 2N3055: a case history». IEEE Transactions on Electron Devices 48 (11):  pp. 2477–2484. doi:10.1109/16.960371. 
  2. S M Dhir (1999), Electronic Components and Materials, Tata McGraw-Hill Education, ISBN 978-0-07-463082-2, http://books.google.com/books?id=sGbwj4J76tEC&pg=PA145 
  3. P. Horowitz and W. Hill (2001). The art of electronics (2nd edición). Cambridge University Press. p. 321. ISBN 978-0-521-37095-0. «the ever-popular 2N3055» 
  4. Gordon McComb (2001). The robot builder's bonanza (2nd edición). McGraw-Hill Professional. p. 261. ISBN 978-0-07-136296-2. «For high-power jobs, the NPN transistor that's almost universally used is the 2N3055» 
  5. Rudolf F. Graf and William Sheets (2001). Build your own low-power transmitters: projects for the electronics experimenter. Newnes. p. 14. ISBN 978-0-7506-7244-3. «The 2N2222, 2N2905, and 2N3055 devices, for example, which date back to the 1960s but have been improved, are still useful in new designs and are still popular for experimenters.» 
  6. «2N3055(NPN), MJ2955(PNP): Complementary Silicon Power Transistors (6th revision)». On Semiconductor. Semiconductor Components Industries, LLC (December de 2005). Consultado el 25-03-2011.