Through-Silicon-Via

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Las TSV (Through-Silicon-Via) son vías de conexión verticales que atraviesan por completo, tanto obleas de silicio como superficies individuales de circuitos integrados (las denominadas “die” en inglés). La tecnología de creación de TSVs es utilizada como parte del proceso de fabricación de chips 3D.

Gracias a la tecnología TSV, los chips tridimensionales pueden empaquetarse de forma que el área usada sea mínima sin que ello suponga una reducción de la funcionalidad del chip. Además, también posibilita la reducción de los caminos críticos existentes entre los componentes, aumentando de este modo la velocidad de las operaciones.

En cuanto al proceso de fabricación de estas vías, cabe destacar que generalmente son realizadas mediante láser o algún otro método de taladrado (más o menos complejo), para posteriormente ser rellenas de cobre o de algún otro material conductor.

Además, dependiendo del material utilizado en las uniones, es conveniente realizar las TSVs en un momento distinto dentro del proceso de fabricación de chips 3D. De este modo, las recomendaciones son las siguientes:

  • “Via-first” (realización de la vías TSV antes de unir las distintas capas de componentes). Especialmente recomendada para los procesos en los que se usen uniones entre contactos cobre y/o uniones derivadas de una mezcla entre metal y sustancia adhesiva.
  • “Via-last” (realización de las vías TSV después de unir las capas de componentes). Recomendada para los procesos en los que las uniones sean entre capas completas de óxido o de adhesivo.