Ecuación de Shockley

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Modelo de Shockley del Diodo[editar]

El modelo matemático más empleado en el estudio del diodo es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las aplicaciones. La ecuación que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde:

  • I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de tensión entre sus extremos.
  • IS es la corriente de saturación (aproximadamente )
  • q es la carga del electrón
  • T es la temperatura absoluta de la unión
  • k es la constante de Boltzmann
  • n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
  • El término VD es la diferencia de tensión entre sus dos extremos.

Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los modelos más sencillos), en ocasiones se emplean modelos más simples aún, que modelizan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-señal que se muestran en la figura. El más simple de todos (4) es el diodo ideal.