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DescripciónHEMT-band structure scheme-en.svg	English: Electron energy band structure of a High Electron Mobility Transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode Deutsch: Energiebandstruktur eines "High electron mobility"-Transistor (HEMT), dargestellt ist der Verlauf unter der Gate-Elektrode
Fecha	26 de agosto de 2009, 23:35 (UTC)
Fuente	High_Electron_MobilityTransistor_-_electron_energy_band_structure_(DE).svg
Autor	High_Electron_MobilityTransistor_-_electron_energy_band_structure_(DE).svg: Cepheiden derivative work: sfu (talk)

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- 2008-06-17T11:17:31Z Cepheiden 480x370 (29105 Bytes) {{Information |Description={{en|1=Electron energy band structure of a high electron mobility transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode }} {{de|1=Energiebandstruktur eines "High electron mobility"-Transistor

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