3D XPoint

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3D XPoint, es una tecnología de memoria no volátil (que no necesita energía para conservar los datos guardados indefinidamente) anunciada por Intel y Micron en julio de 2015. Se espera que la producción de volumen sea en una planta de fabricación en Utah en 2016.

Características[editar]

La velocidad de lectura y de escritura anunciadas son hasta 1000 veces más altas que la de las memoria flash.[1][2][3][4][5][6][7][8][9][10]​ Tiene una mejor durabilidad y una velocidad operativa más rápida que la memoria flash, aunque es más lenta que la memoria RAM dinámica. Cada bit de almacenamiento se basa en un cambio de la resistencia a granel, en relación con un dato apilable en una matriz de acceso en cruz o cuadrada.

Ventajas e inconvenientes comparados a NAND y DRAM[editar]

Mientras NAND utiliza la carga eléctrica y el bloque de direccionamiento para almacenar datos, 3D XPoint utiliza resistencia eléctrica y direccionable por bit.[11]​ Las celdas de datos individuales no necesitan un transistor, por lo que la densidad de embalaje será similar a NAND y un orden de magnitud mejor que la DRAM.[12]​ Se espera que la velocidad de operación sea más lenta que la DRAM, mientras que el precio por bit será menor que la DRAM, aunque superior a la NAND.

Véase también[editar]

Enlaces externos[editar]

Referencias[editar]