Óxido de cinc

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Óxido de cinc
Zinc oxide.jpg
Nombre IUPAC
Óxido de zinc
General
Otros nombres Monóxido de zinc
Fórmula semidesarrollada ZnO
Fórmula molecular ?
Identificadores
Número CAS 1314-13-2[1]
Número RTECS ZH4810000
ChEBI 36560
ChemSpider 14122
PubChem 14806
Propiedades físicas
Apariencia Sólido blanco
Densidad 5606 kg/m3; 5,606 g/cm3
Masa molar 81.41 g/mol
Punto de fusión 1701 K (1428 °C)
Propiedades químicas
Solubilidad en agua 1.6 mg/L a 29 °C[2]
Peligrosidad
NFPA 704

NFPA 704.svg

1
2
0
W
Compuestos relacionados
Compuestos relacionados Clorato de zinc
Cloruro de zinc
Sulfato de cinc
Sulfuro de zinc
Valores en el SI y en condiciones estándar
(25 °C y 1 atm), salvo que se indique lo contrario.
[editar datos en Wikidata]

El óxido de zinc es un compuesto inorgánico con la formula ZnO. El ZnO es un polvo blanco insoluble en agua, y es comúnmente usado como aditivo en diversos materiales y productos, por ejemplo: caucho, plásticos, cerámicas, vidrio, cemento, lubricantes,[3] pinturas, ungüentos, adhesivos, selladores, pigmentos, comida, baterías, ferritas, retardadores de fuego y cintas de primeros auxilios. Aunque se encuentra de forma natural en el mineral cincita, la mayoría del óxido de zinc es producido sintéticamente. [4]

El ZnO es un semiconductor del grupo de semiconductores II-VI. La adición de impurezas para modular sus propiedades eléctricas (doping) nativa del semiconductor debida a las vacantes del oxígeno o intersticiales de zinc es tipo n. [5]

Este semiconductor tiene diversas propiedades favorables, incluyendo buena transparencia, alta movilidad de electrones, amplio rango de energía donde no existen estados electrónicos (bandgap), y fuerte luminiscencia a temperatura ambiente. Estas propiedades son importantes para las aplicaciones emergentes: electrodos transparentes en aparatos de cristal líquido, ventanas ahorradoras de energía o protectoras del calor, y electrónicos como transistores de película delgada y diodos emitentes de luz.

Propiedades químicas[editar]

El ZnO puro es un polvo blanco, en la naturaleza se encuentra de manera natural como el mineral cincita, el cual usualmente contiene manganeso y otras impurezas que le confieren un color entre amarillo y rojo.[6]

El óxido de zinc cristalino es termo crómico, cambiando de blanco a amarillo cuando es expuesto al calor, y volviendo a ser blanco cuando se enfría.[7] Este cambio de color es causado por una pequeña pérdida de oxígeno al ambiente a altas temperaturas, lo cual forma Zn1+xO no estequiométrico, donde a 800°C, x = 0.00007.[7]

El óxido de cinc es un óxido anfótero. Es casi insoluble en agua, pero soluble (degradado) en muchos ácidos, tales como el ácido clorhídrico:

ZnO + 2 HCl → ZnCl2 + H2O

Las bases también degradan este sólido formando zincatos solubles:

ZnO + 2 NaOH + H2O → Na2[Zn(OH)4]

El ZnO reacciona lentamente con ácidos graso en aceites para producir los correspondientes carboxilatos, tales como el oleato o el estearato. El ZnO forma productos similares al cemento cuando es mezclado con una solución fuerte acuosa de cloruro de cinc y estos son mejor conocidos como hidroxicloruros de zinc. [8] Este cemento era usado en odontología.[9]

Hopeita

El ZnO también forma un material parecido al cemento cuando es tratado con ácido fosfórico; materiales relacionados son usados en odontología.[9]

El mayor compuesto producido por la reacción al formar el cemento de fosfato de cinc es la hopeita, Zn3(PO4)2·4H2O [10]

El ZnO se descompone en vapor de cinc y oxígeno alrededor de los 1975°C con presión de oxígeno estándar. En una reacción carbotérmica, el calentar con carbón convierte el óxido en vapor de cinc con menores temperaturas (cerca de 950°C). [11]

ZnO + C → Zn(Vapor) + CO

El óxido de cinc puede reaccionar violentamente con polvo de aluminio y magnesio, con caucho clorado y aceite de linaza caliente provocando fuego y riesgo de explosión.[12] [13]

Reacciona con sulfuro de hidrógeno para crear sulfuro de cinc. Ésta reacción es usada comercialmente.[cita requerida]

ZnO + H2S → ZnS + H2O

Propiedades físicas[editar]

Estructura Wurtzite
Una celda de blenda de cinc

Estructura[editar]

El óxido de cinc se cristaliza en dos formas principalmente, wurtzite hexagonal [14]

y blenda de cinc cúbica. La estructura wurtzite es más estable en condiciones estándar y por lo tanto es más común. La forma de blenda de cinc puede ser estabilizada al formar el ZnO en sustratos con estructura cúbica enrejada. En ambos casos, el centro del el cinc y el óxido son tetraédricos, la más característica geometría del Zn(II). El ZnO se convierte en sal de roca a presiones relativamente altas, cerca de 10 GPa.[5]

Las poliformas hexagonal y blenda de cinc no tienen simetría de inversión (el reflejo de un cristal relativo a cualquier punto, no lo transforma en sí mismo). Ésta y otras propiedades de simetrías enrejadas resultan en la piezoelectricidad de la forma hexagonal y de la blenda de cinc del ZnO, y la piroelectricidad de la forma hexagonal del ZnO.

La estructura hexagonal tiene un grupo de puntos 6 mm (Hermann-Mauguin notation) o C6v (Schoenflies notation), y el grupo de espacio es P63mc o C6v4. Las constantes de enrejado son a = 3.25 Å y c = 5.2 Å; su radio es c/a ~ 1.60, cercano al valor ideal de una celda hexagonal c/a = 1.633. [15]

Como en casi todos los materiales de los grupos II-VI, el enlace del ZnO es iónico (Zn2+–O2−) con los radios correspondientes de 0.074 nm para el Zn2+ y 0.140 nm para el O2−. Esta propiedad hace que se prefiera la formación de la estructura wurtzite en lugar de la blenda de cinc, [16] así como la fuerte piezoelectricidad del ZnO. Debido a la polaridad de los enlaces Zn-O, los niveles del cinc y el oxígeno están eléctricamente cargados. Para mantener la neutralidad eléctrica, esos niveles se reconstruyen en el nivel atómico de la mayoría de los materiales relativos, pero no para el ZnO -sus superficies son atómicamente planas, estables y no presentan reconstrucción. Esta anomalía del ZnO no se ha podido explicar aún. [17]

Propiedades mecánicas[editar]

El ZnO es un material relativamente blando con una dureza aproximada de 4.5 en la escala de Mohs. [3]

Sus constantes elásticas son menores que aquellas de los semiconductores relevantes de los grupos III-V, tales como el GaN. La alta capacidad calorífica y conductividad térmica, baja expansión química y alta temperatura de fusión del ZnO son propiedades benéficas para las cerámicas. [18] El ZnO exhibe un fonón óptico de muy larga vida E2(bajo) con un tiempo de vida útil de hasta 133 ps a 10 K. [19] [Aclaración requerida]

Entre los semiconductores tetraédricamente unidos, se ha fijado que el ZnO tiene el mayor tensor piezoeléctrico, o al menos uno comparable a aquellos del GaN y AlN. [20] Esta propiedad lo hace un material de importancia tecnológica para diversas aplicaciones piezoeléctricas, las cuales requieren una amplia unión electromecánica.

Propiedades eléctricas[editar]

El ZnO tiene un “band gap” relativamente amplio de ~3.3 eV a temperatura ambiente. Las ventajas asociadas a un amplio “band gap” incluyen altos voltajes de descomposición, habilidad de mantener amplios campos eléctricos, bajo ruido electrónico, y altas temperaturas y altas potencias de operación. El band gap del ZnO puede ser sintonizado a ~3–4 eV mediante su aleación con óxido de magnesio u óxido de cadmio. [5]

Casi todo el ZnO tiene el carácter tipo n, incluso sin agregar impurezas intencionalmente. La no estequiometria es típicamente el origen del carácter de tipo n, pero el tema sigue siendo controversial. [21] Una explicación alternativa ha sido propuesta, basada en cálculos teóricos, la involuntaria substitución de las impurezas de hidrogeno son las responsables. [22] La adición de impurezas de tipo n es controlable cuando se substituye el Zn con elementos del grupo III, tales como Al, Ga, In o al sustituir el oxígeno con elementos del grupo VII como cloro o yodo.[23]

La modulación de las propiedades eléctricas de tipo p del ZnO aún es difícil. Este problema se origina de la baja solubilidad de los dopantes de tipo p y su compensación de las abundantes impurezas de tipo n. Este problema se observa con el GaN y el ZnSe. Mediciones del tipo p en materiales del tipo n “intrínsecos” son complicadas por la heterogeneidad de las muestras. [24]

Las limitaciones del dopaje p con límite electrónico y las aplicaciones optoelectrónicas del ZnO, que generalmente requieren uniones con materiales del tipo n y p. Los dopantes conocidos del tipo o incluyen a los elementos del grupo I Li, Na, K; elementos del grupo V N, P y As; así como cobre y plata. Sin embargo, muchos de estos elementos son receptores y no producen conducción tipo p significativa a temperatura ambiente.[5]

La movilidad de los electrones del ZnO varia fuertemente con la temperatura y tiene un máximo de ~2000 cm2/(V·s) a 80 K.[25]

Datos de la movilidad de los huecos son escasos con valores en el rango de 5–30 cm2/(V·s).[26]

Producción[editar]

Para el uso industrial, el ZnO se produce a niveles de 105 toneladas por año [6] mediante tres procesos principales: [18]

Proceso indirecto[editar]

En el proceso indirecto o francés, zinc metálico es derretido en un crisol de grafito y vaporizado a temperaturas superiores a los 907°C (típicamente cercanas a los 1000°C). El vapor de zinc reacciona con el oxígeno del aire para formar el ZnO, acompañado por un descenso en su temperatura y luminiscencia brillante. Las partículas de óxido de zinc son transportadas a un ducto de enfriamiento y recolectadas en una bolsa. Este método indirecto se popularizó gracias a LeClaire (Francia) en 1844 y por ello es comúnmente conocido como el proceso francés. El producto normalmente consiste de partículas de óxido de zinc aglomeradas con un tamaño promedio de 0.1 a pocos micrómetros. Por el peso, la mayoría del óxido de zinc del mundo es manufacturado mediante el proceso francés.

Proceso directo[editar]

El proceso directo o americano empieza con diversos compuestos de zinc contaminados, tales como minerales de zinc o fundiciones de subproductos. Los precursores de zinc son reducidos (reducción carbotérmica) mediante calentamiento con una fuente de carbón como antracita para producir vapor de zinc, el cual es oxidado como en el proceso indirecto. Debido a la baja pureza del material de origen, el producto final también presenta baja calidad en el proceso directo comparada a la del indirecto.

Proceso químico húmedo[editar]

Una pequeña cantidad de la producción industrial involucra el proceso químico húmedo, el cual empieza con soluciones acuosas de sales purificadas de zinc, de las que el carbonato de zinc o el hidróxido de zinc es precipitado. Después el precipitado es filtrado, lavado, secado y calcinado a temperaturas de aproximadamente 800°C.

Síntesis en el laboratorio[editar]

Existe un amplio número de métodos especializados para producir ZnO para estudios científicos y diferentes aplicaciones. Estos métodos se pueden clasificar por la forma del ZnO resultante (abultado, película delgada, nanocables), temperatura (“baja” que es cercana a la temperatura ambiente o “alta”, que es T ~ 1000 °C), tipo de proceso (descomposición de vapor o desarrollo de solución) y otros parámetros.

Cristales individuales grandes (muchos centímetros cúbicos) pueden ser desarrollados por transporte de gas (disposición fase de vapor), síntesis hidrotérmica [17] [27] [28] o por fusión. Sin embargo, debido a la alta presión de vapor del ZnO, producirlo por fusión es problemático. La producción por transporte de gas es difícil de controlar, dejando el método hidrotérmico como el de preferencia. Las películas delgadas pueden ser producidas por disposición química de vapor, epitaxia metal orgánica en fase vapor, electrodeposición, disposición por láser pulsado, pulverización catódica (sputtering), síntesis sol-gel, disposición de capa atómica, atomizador de pirolisis, etc.

El polvo ordinario de óxido de zinc puede ser producido en el laboratorio al electrolizar una solución de bicarbonato de sodio con un ánodo de zinc. El hidróxido de zinc y el gas de hidrógeno son producidos. El hidróxido de zinc al ser calentado se descompone en óxido de zinc.

Zn + 2 H2O → Zn(OH)2 + H2
Zn(OH)2 → ZnO + H2O

Nano estructuras de ZnO[editar]

Las nano estructuras del ZnO pueden ser sintetizadas en una variedad de morfologías incluyendo nano cables, nano bastones, tetrápodos, nano cintas, nano flores, nano partículas, etc. Las nano estructuras pueden ser obtenidas con la mayoría de las técnicas mencionadas anteriormente, en ciertas condiciones, y también con el método vapor-líquido-sólido. [17] [29]

Las nano estructuras como barras del ZnO pueden ser producidas por métodos acuosos, los cuales son baratos, escalables y amigables con el ambiente. La producción ocurre a temperaturas relativamente bajas, compatibles con sustratos orgánicos flexibles; no hay necesidad del uso de catalizadores metálicos, y por lo tanto puede ser integrado con tecnologías de silicio bien desarrolladas. Además, existen una variedad de parámetros que pueden ser sintonizados para controlar efectivamente la morfología y las propiedades del producto final. Los métodos químicos húmedos se han mostrado como una técnica poderosa y versátil para producir nano estructuras de una dimensión de ZnO. [30] La síntesis es típicamente llevada a cabo a temperaturas de cerca de 90°C, en una solución acuosa equimolar de nitrato de zinc y hexamina, el último proporcionando el entorno básico. Algunos aditivos, como el polietilenglicol o la polietilenimina, pueden mejorar el aspecto de los nano cables de ZnO.[31] El dopaje de los nano cables de ZnO se ha logrado por la adición de otros nitratos metálicos a la solución de producción.[32] La morfología de las nano estructuras resultantes puede ser sintonizada al cambiar los parámetros relacionados a la composición del precursor (como la concentración de zinc y pH) o al tratamiento térmico (como la temperatura y el ritmo de calentamiento) o al realizar un tratamiento con vapor. [33] [34]

Los nano cables de ZnO alineados en silicio pre cimentado, los sustratos cristal y nitruro de galio han sido desarrollados en soluciones acuosas usando sales de zinc acuosas como el nitrato de zinc y el acetato de zinc en ambientes básicos. [35] Los sustratos pre cimentados con ZnO crean sitios para la nucleación homogénea de los cristales de ZnO durante la síntesis. Los métodos comúnmente pre cimentados incluyen descomposición térmica de cristalitos de acetato de zinc, recubrimiento por centrifugación de nano partículas de ZnO y el uso de métodos de disposición física de vapor para depositar el ZnO en delgadas películas. [36] [37]

La pre cimentación puede realizarse en conjunción con procedimientos de modelado de arriba hacia abajo tales como la litografía por haz de electrones y la litografía de nano esfera para designar los sitios de nucleación antes del desarrollo. Los nano cables de ZnO alineados pueden ser usados en celdas solares sensibilizadas por colorante y en dispositivos de emisión de campo. [38] [39]

Historia[editar]

Los compuestos de zinc fueron probablemente utilizados por los primeros humanos, de formas procesadas o sin procesar, como pintura o ungüento medicinal, pero su composición es incierta. El uso de pushpanjan, probablemente óxido de zinc, como bálsamo para los ojos y heridas abiertas, es mencionado en el texto de medicina india el Charaka Samhita, el cual se cree data del año 500 a.C o antes.[40] El ungüento de óxido de cinc también es mencionado por el médico griego Dioscórides (siglo I d.C).[41] Avicena menciona el óxido de zinc en The Canon of Medicine (1025 d.C) donde lo menciona como el tratamiento preferido para diversas condiciones en la piel, incluyendo cáncer de piel. Aunque en la actualidad no es usado para tratar el cáncer, se utiliza para tratar una amplia variedad de condiciones en la piel, en productos como el polvo de bebé y cremas contra dermatitis provocadas por el pañal (rozaduras), crema de calamina, champú anti caspa, y ungüentos antisépticos.[42]

Los romanos producían cantidades considerables de latón (una aleación de cobre y cinc) durante el año 200 a.C, gracias a un proceso de cementación donde el cobre se hacia reaccionar con óxido de cinc. [43] Se cree que el óxido de cinc se producía por calentamiento de minerales de cinc en un horno de cuba. Esto liberaba el cinc metálico como vapor, el cual después ascendía por un tubo y se condensaba como óxido. Este proceso era descrito por Dioscorides en el siglo I d.C. [44] El óxido de cinc también se ha recuperado de minas de cinc en Zawar, India, desde la segunda mitad del primer milenio antes de cristo. Este era presuntamente hecho de la misma forma y usado para producir latón.[41]

Del siglo XII al XVI el cinc y el óxido de cinc eran conocidos y producidos en India utilizando una forma primitiva de síntesis directa. De India, la manufactura de cinc se movió a China en el siglo XVII. En 1743, el primer horno de fundición de cinc europeo se fundó en Bristol, Reino Unido. [45]

El principal uso del óxido de cinc (cinc blanco) era en pinturas y como aditivo en ungüentos. El cinc blanco era aceptado como pigmento en pinturas de óleo en 1834, pero éste no se mezclaba bien con el óleo. Este problema se solucionó al optimizar la síntesis del ZnO. En 1845, LeClaire en Paris produjo la pintura de óleo en escalas grandes, y para 1850 el cinc blanco era manufacturado por Europa. El triunfo de la pintura de cinc blanco se debió a sus ventajas sobre la pintura tradicional de plomo: el blanco de cinc es esencialmente permanente a la luz del sol, no es ennegrecido por aire que contiene azufre, no es tóxico y es más económico. Debido a que el blanco de cinc es muy “limpio” es valioso para realizar matices con otros colores, pero hace una película seca quebradiza cuando no se mezcla con otros colores. Por ejemplo, durante los últimos años de 1890 y los primeros de 1900, algunos artistas utilizaron blanco de cinc como base de sus pinturas de óleo. Todas estas pinturas desarrollaron grietas con el paso de los años. [46]

En tiempos recientes, la mayoría del óxido de cinc es usado en la industria del caucho para hacerlo resistente a la corrosión. En la década de 1970, la segunda mayor aplicación del ZnO era el fotocopiado. El ZnO de alta calidad que se producía mediante el “proceso francés” se añadía al papel de fotocopiado como relleno. Esta aplicación pronto se sustituyó con titanio.[18]

Aplicaciones[editar]

Las aplicaciones del polvo de óxido de cinc son numerosas, y las principales son resumidas abajo. La mayoría de las aplicaciones explotan la reactividad del óxido como precursor de otros compuestos de cinc. Para aplicaciones en la ciencia material, el óxido de cinc tiene un alto índice de refracción, alta conductividad térmica, propiedades antibacteriales y de protección UV. Por lo tanto, es añadido a materiales y productos incluyendo plásticos, cerámicas, cristales, cemento, [47] caucho, lubricantes,[3] pinturas, ungüentos, adhesivos, selladores, fabricación de hormigón, pigmentos, comidas, baterías, ferritas, retardadores de fuego, etc. [48]

Manufactura de caucho[editar]

Entre el 50% y el 60% del ZnO es usado en la industria del caucho.[49] El óxido de cinc junto con el ácido esteárico es usado en la vulcanización del caucho.[18] [50] [51] La adición del ZnO también protege al caucho de hongos (ver aplicaciones médicas) y luz UV.

Industria de la cerámica[editar]

La industria de la cerámica consume una significativa cantidad de óxido de cinc, en particular el esmalte cerámico y composiciones horneadas. La relativamente alta capacidad calorífica, conductividad térmica y la temperatura de estabilidad del ZnO unido a coeficientes de expansión comparablemente bajos son propiedades deseadas en la producción de cerámicas. El ZnO afecta el punto de fusión y las propiedades ópticas de los barnices, esmaltes, y formulaciones cerámicas. El óxido de cinc con una expansión baja, el flujo secundario mejora la elasticidad de los barnices al reducir el cambio de viscosidad como función de la temperatura y ayuda a prevenir el cuarteo. Al sustituir ZnO por BaO y PbO, la capacidad calorífica disminuye y la conductividad térmica incrementa. El cin en cantidades pequeñas mejora el desarrollo de superficies lustrosas y brillantes. Sin embargo, de cantidades moderadas a altas, produce superficies mate y cristalinas. Con respecto al color, el cinc tiene una complicada influencia. [49]

Medicina[editar]

El óxido de cinc como una mezcla con cerca de 0.5% de óxido de fierro III (Fe2O3) es llamado calamina y es usado en la loción de calamina. Dos minerales, cincita y hemimorphite, han sido llamados calamina históricamente. Cuando se mezcla con eugenol, un ligando, el óxido de cinc eugenol es formado, el cual tiene aplicaciones como regenerador y prostodoncia en odontología. [9] [52]

Reflexionando las propiedades básicas del ZnO, las partículas finas del óxido tienen propiedades desodorizantes y antibacteriales [53] y es por ello que se agregan a materiales como la fábrica de algodón, caucho, productos de cuidado bucal, [54] [55] y empaquetado de comida.[56] [57] La acción antibacterial mejorada de las partículas finas comparadas con el material abultado no es exclusivo del ZnO y es observado en otros materiales como la plata.[58] Esta propiedad resulta del incremento del área de superficie de las partículas finas.

El óxido de cinc es amliamente usado para tratar una variedad de condiciones en la piel, en productos como polvo para bebés y cremas protectoras para tratar rozaduras, crema de calamina, champús anti caspa, y ungüentos antisépticos. [42] [59] Es también un componente en la cinta (llamada “cinta de óxido de cinc”) usada por atletas como vendaje para prevenir daño de tejidos blandos durante sus entrenamientos. [60]

El óxido de cinc puede ser usado en ungüentos, cremas, y lociones para proteger contra quemaduras por el sol y otros daños a la piel causados por la luz ultravioleta. Tiene el más amplio espectro de reflexión de rayos UVA y UVB que es aprobado para el uso en bloqueadores solares de los Estados Unidos por la Administración de Drogas y Comida (Food and Drug Administration o FDA por sus siglas en inglés),[61] y es completamente fotoestable.[62] Cuando es usado como ingrediente de un bloqueador solar, el óxido de cinc bloquea ambos los rayos UVA (320-400 nm) y UVB (280-320 nm) de luz ultravioleta. El óxido de cinc y los otros bloqueadores solares más comunes, dióxido de titanio, son considerados no irritantes, no alergénicos, y no comedogénicos. [63] El cinc del óxido de cinc es, sin embargo, ligeramente absorbido por la piel. [64]

Muchos protectores solares usan nano partículas de óxido de cinc (junto con partículas de dióxido de titanio) pues esas pequeñas partículas no dispersan la luz y por ello no se muestran blancos. Ha habido preocupación pues estos podrían ser absorbidas por la piel. [65] [66] Un estudio publicado en 2010 encontró que de 0.23% a 1.31% (promedio de 0.42%) de los niveles de cinc en la sangre en muestras de sangre venosa podían ser trazas de cinc de nano partículas de ZnO aplicadas en la piel de los humanos por 5 días, las trazas también se encontraron en muestras de orina.[67] En contraste, una revisión exhaustiva de la literatura médica en el 2011 dijo que no había evidencia de que una absorción sistémica se encontrará en la literatura. [68]

Las nano partículas de óxido de cinc pueden mejorar la actividad antibacterial de la ciprofloxacina. Se ha demostrado que el ZnO nano que tiene un tamaño promedio de 20 nm y 45 nm puede mejorar la actividad antibacterial de la ciprofloxacina contra Staphylococcus aureus y Escherichia coli in vitro. El efecto de mejoramiento en este nano material es dependiente de la concentración contra todas las cepas examinadas. Este efecto se puede deber a dos razones. La primera, las nano partículas del óxido de cinc pueden interferir con la proteína NorA, la cual se desarrolla para conferir resistencia en las bacterias y tiene actividad de bombeo que media el eflujo de fluoroquinolones hidrófilos de una célula. LA segunda, las nano partículas del óxido de cinc pueden interferir con la proteína Omf, la cual es responsable de la penetración de quinolones a la célula. [69]

Filtros de cigarros[editar]

El óxido de cinc es un constituyente de los filtros de cigarros. Un filtro que consiste de carbón impregnado con óxido de cinc y óxido de hierro, remueve cantidades significativas de cianuro de hidrógeno (HCN) y sulfuro de hidrógeno (H2S) del humo de tabaco sin afectar su sabor.[48]

Aditivo de comida[editar]

El óxido de cinc es añadido a muchos productos alimenticios, incluyendo cereales de desayuno, como fuente de cinc, [70] un nutriente necesario (sulfato de zinc también es usado con el mismo propósito). Algunas comidas pre empaquetadas incluyen cantidades traza de ZnO aunque no sea destinado como nutriente.

El óxido de cinc estaba vinculado a la contaminación de dioxina en cerdos exportados en 2008 en la crisis de cerdo chilena. Se encontró que la contaminación por dioxina se debía a óxido de cinc usado en el alimento de los cerdos. [71]

Pigmento[editar]

El blanco de cinc es usado como pigmento en pinturas y es más opaco que el litopón, pero menos opaco que el dióxido de titanio. [4] Es también usado como revestimiento para papel. El blanco chino es un grado especial de blanco de cinc usado en los pigmentos de los artistas. El uso de blanco de cinc (óxido de cinc) como pigmento en la pintura en óleo empezó a mediados del siglo XVIII. [72] Ha reemplazado al blanco de plomo y fue usado por pintores como Böcklin, Van Gogh,[73] Manet, Munch, entre otros. Es también un ingrediente principal del maquillaje mineral (CI 77947) [74]

Absorbente UV[editar]

El micronizado y la nano escala del óxido de cinc y el dióxido de titanio permite una fuerte protección contra la radiación ultravioleta UVA, y son usados en lociones de bronceado, [75]

así como en lentes de sol con bloqueo UV para uso en el espacio y para protección cuando se realiza una soldadura, siguiendo la investigación de los científicos en el laboratorio Jet Propulsión (JPL ).[76]

Revestimientos[editar]

Las pinturas que contienen polvo de óxido de cinc han sido utilizadas como revestimientos anticorrosivos para metales. Son especialmente efectivas para galvanizar el hierro. El hierro es difícil de proteger pues su reactividad con revestidores orgánicos lleva la fragilidad y la falta de adhesión. Las pinturas de óxido de cinc retienen su flexibilidad y adherencia en estas superficies por muchos años. [48]

El ZnO altamente el tipo n dopado con Al, Ga, o In es transparente y conductivo (transparencia ~90%, menos resistividad ~10−4 Ω·cm[77] ). Los revestimientos ZnO:Al son utilizados para ventanas que ahorran energía o protegen del calor. El revestimiento deja la parte visible del espectro, pero refleja la radiación infrarroja (IR) dentro del cuarto (ahorro de energía) o no permite a la radiación infrarroja entrar al cuarto (protección del calor), dependiendo en qué lado de la ventana este el revestimiento. [6]

Plásticos, tales como el naftalato de polietileno (PEN), pueden ser protegidos al aplicar un revestimiento de óxido de cinc. El revestimiento reduce la difusión de oxígeno con PEN.[78] Las capas de óxido de cinc pueden ser usadas en policarbonato (PC) en aplicaciones al exterior. El revestimiento protege al PC de la radiación solar y disminuye la velocidad de oxidación y la coloración amarillenta del PC.[79]

Prevención contra la corrosión en reactores nucleares[editar]

El óxido de cinc reducido a 64Zn (el isotopo de cinc con masa atómica 64) es usado en la prevención de corrosión en reactores nucleares de agua presurizada. La reducción es necesaria pues el 64Zn es transformado en 65Zn radiactivo bajo irradiación por los neutrones del reactor. [80]

Reformado de metano[editar]

El óxido de cinc (ZnO) es utilizado como un paso de pre tratamiento para remover el sulfuro de hidrógeno (H2S) del gas natural siguiendo la hidrogenación de cualquier compuesto con azufre antes de un reformado de metano, el cual puede intoxicar al catalizador. A temperaturas entre los 230, H2S se convierte en agua por la siguiente reacción:

H2S + ZnO → H2O + ZnS

El sulfuro de cinc (ZnS) se reemplaza con óxido de cinc fresco cuando el óxido de cinc ha sido consumado. [81]

Aplicaciones potenciales[editar]

Electrónica[editar]

Fotografía de un láser UV diodo de ZnO y la estructura de su dispositivo correspondiente.[82]
Sensor de gas flexible basado en nanorods de ZnO y su estructura interna. ITO se refiere a óxido de indio y estaño y PET a tereftalato de polietileno.[83]

El ZnO tiene un amplio y directo “band gap” (3.37 eV o 375 nm a temperatura ambiente). Por esto, sus aplicaciones potenciales más comunes son en diodos laser y diodos emisores de luz (LEDs light emitting diodes).[84] Algunas aplicaciones optoelectrónicas del ZnO se traslapan con las del GaN, el cual tiene un bandgap similar (~3.4 eV a temperatura ambiente). Comparado con el GaN el ZnO tiene más energía de enlace en los excitones (~60 meV, 2.4 veces de la energía térmica a temperatura ambiente), lo que resulta en una emisión brillante a temperatura ambiente del ZnO. El ZnO puede ser combinado con GaN para aplicaciones en LEDs. Por ejemplo, como una capa de óxido conductor transparente y nano estructuras de ZnO proporcionan un mejor desacoplamiento de luz. [85] Otras propiedades favorables del ZnO en aplicaciones electrónicas incluyen se estabilidad a radiación de alta energía y a químicos húmedos. [86] La resistencia a la radiación [87] hace al ZnO un candidato adecuado para aplicaciones en el espacio. El ZnO es el candidato más prometedor en el campo de los láseres aleatorios para producir una fuente de láser UV de inyección electrónica.

Las puntas de nanorods de ZnO dan como resultado un fuerte aumento de campo eléctrico. Por lo que pueden ser usados como emisores de campo.[88]

Las capas de ZnO dopadas con aluminio son usadas como electrodos transparentes. Los constituyentes Zn y Al son más baratos y menos tóxicos comparados con lo que se usaba generalmente óxido de indio y estaño (ITO). Una aplicación que ha empezado a estar comercialmente disponible es el uso de ZnO como contacto frontal para celdas solares o de pantallas de cristal líquido. [89]

Los transistores de pelicula delgada transparente (TTFT) pueden ser producidos con ZnO. Como transistores de efecto de campo, pueden no necesitar una unión p-n, [90] evitando los problemas del dopaje tipo p del ZnO. Algunos de los transistores e efecto de campo pueden incluso usar nanoros de ZnO como canales de conducción. [91]

Sensor nanorod de óxido de cinc[editar]

Los sensores nanorod de óxido de cinc son dispositivos que detectan cambios en la corriente eléctrica que pasa por nano cables de óxido de cinc debido a la adsorción de moléculas de gas. La selectividad por moléculas de gas de hidrógeno se logró mediante la pulverización catódica de trozos de Pd en la superficie de los nanorod. La adición del Pd parece ser efectiva en la disociación catalítica de las moléculas de hidrogeno en hidrogeno atómico, incrementando la sensibilidad del dispositivo sensor. El sensor detecta concentraciones de hidrogeno menores a 10 partes por millón a temperatura ambiente, de otra forma no hay respuesta del oxígeno. [92] [93]

Espintrónica[editar]

El ZnO también ha sido considerado por sus aplicaciones en espintrónica: si es dopado con 1-10% de iones magnéticos (Mn, Fe, Co, V, etc.), el ZnO se puede hacer ferromagnético, incluso a temperatura ambiente. Ese ferromagnetismo a temperatura ambiente ha sido observado con la unión ZnO:Mn, [94] pero no es claro aún si se originó de la matriz por sí misma o por fases secundarias de óxido.

Piezoelectricidad[editar]

La piezoelectricidad en fibras textiles cubiertas con ZnO han mostrado ser capaces de fabricar “nano sistemas autoalimentados” con el estrés mecánico de cada día del aire o los movimientos del cuerpo.[95] [96]

En 2008 el Center for Nanostructure Characterization en el Instituto de Tecnología de Georgia reportó crear un dispositivo que generaba energía (llamado generador de bomba de carga flexible) entregando corrientes alternativas por extensión y liberación de nano cables de óxido de cinc. Este mini generador crea un voltaje que oscila sobre los 45 mili volts, convirtiendo cerca de siete por ciento de la energía mecánica aplicada en electricidad. Los investigadores han usado cables con longitudes de 0.2-0.3 mm y diámetros de tres a cinco micrómetros, pero el dispositivo puede ser escalado a un tamaño más pequeño. [97]

Seguridad[editar]

Como aditivo de comida, el óxido de cinc se encuentra en la lista de lo generalmente reconocido como seguro de la FDA, o sustancias GRAS.[98]

El óxido de cinc es no tóxico; sin embargo, es peligroso inhalar los humos del óxido de cinc, que se generan cuando el cinc o las aleaciones de cinc son derretidos y oxidados a altas temperaturas. Este problema ocurre mientras se derrite el latón pues del punto de fusión del latón es cercano al punto de fusión del cinc. [99] E

La exposición al óxido de cinc en el aire, que también ocurre con la soldadura de acero galvanizado (chapado de cinc), puede resultar en una enfermedad nerviosa llamada fiebre por humos de metal. Por esta razón, típicamente el acero galvanizado no es soldado, o el cinc se remueve primero. [100]

Referencias[editar]

  1. Número CAS
  2. «Zinc oxide». http://www.chemicalbook.com. Consultado el 21 de marzo de 2016. 
  3. a b c Hernandezbattez, A; Gonzalez, R; Viesca, J; Fernandez, J; Diazfernandez, J; MacHado, A; Chou, R; Riba, J (2008). «CuO, ZrO2 and ZnO nanoparticles as antiwear additive in oil lubricants». Wear 265 (3–4): 422. doi:10.1016/j.wear.2007.11.013. 
  4. a b Marcel De Liedekerke, "2.3. Zinc Oxide (Zinc White): Pigments, Inorganic, 1" in Ullmann's Encyclopdia of Industrial Chemistry, 2006, Wiley-VCH, Weinheim. doi 10.1002/14356007.a20_243.pub2
  5. a b c d Özgür, Ü.; Alivov, Ya. I.; Liu, C.; Teke, A.; Reshchikov, M. A.; Doğan, S.; Avrutin, V.; Cho, S.-J. et al. (2005). «A comprehensive review of ZnO materials and devices». Journal of Applied Physics 98 (4): 041301. Bibcode:2005JAP....98d1301O. doi:10.1063/1.1992666. 
  6. a b c Klingshirn, C. (2007). «ZnO: Material, Physics and Applications». ChemPhysChem 8 (6): 782-803. doi:10.1002/cphc.200700002. PMID 17429819. 
  7. a b Wiberg, E. & Holleman, A. F. (2001). Inorganic Chemistry. Elsevier. ISBN 0-12-352651-5. 
  8. Nicholson, J. W; Nicholson, J. W (1998). «The chemistry of cements formed between zinc oxide and aqueous zinc chloride». Journal of Materials Science 33 (9): 2251. Bibcode:1998JMatS..33.2251N. doi:10.1023/A:1004327018497. 
  9. a b c Ferracane, Jack L. (2001). Materials in Dentistry: Principles and Applications. Lippincott Williams & Wilkins. pp. 70, 143. ISBN 0-7817-2733-2. 
  10. Park C.-K.; Silsbee M. R.; Roy D. M. (1998). «Setting reaction and resultant structure of zinc phosphate cement in various orthophosphoric acid cement-forming liquids». Cement and concrete research 28 (1): 141-150. doi:10.1016/S0008-8846(97)00223-8. 
  11. Greenwood, N. N.; Earnshaw, A. (1997). Chemistry of the Elements. Oxford:Butterworth-Heinemann. ISBN 0-7506-3365-4. 
  12. International Occupational Safety and Health Information Centre (CIS) Accessdate January 25, 2009.
  13. Zinc oxide MSDS. hazard.com. Accessdate January 25, 2009.
  14. Fierro, J. L. G (2006). Metal Oxides: Chemistry & Applications. CRC Press. p. 182. ISBN 0824723716. 
  15. Rossler, U., ed. (1999). Landolt-Bornstein, New Series, Group III. Vol. 17B, 22, 41B. Springer, Heidelberg. 
  16. Klingshirn, Claus Franz; Meyer, Bruno K.; Waag, Andreas; Axel Hoffmann; Johannes M. M. Geurts (2010). Zinc Oxide: From Fundamental Properties Towards Novel Applications. Springer. pp. 9-10. ISBN 978-3-642-10576-0. 
  17. a b c Baruah, S. and Dutta, J.; Dutta (2009). «Hydrothermal growth of ZnO nanostructures». Sci. Technol. Adv. Mater. (free download) 10: 013001. Bibcode:2009STAdM..10a3001B. doi:10.1088/1468-6996/10/1/013001. 
  18. a b c d Porter, F. (1991). Zinc Handbook: Properties, Processing, and Use in Design. CRC Press. ISBN 0-8247-8340-9. 
  19. Millot, M.; Tena-Zaera, R.; Munoz-Sanjose, V.; Broto, J. M.; Gonzalez, J. (2010). «Anharmonic effects in ZnO optical phonons probed by Raman spectroscopy». Applied Physics Letters 96 (15): 152103. Bibcode:2010ApPhL..96o2103M. doi:10.1063/1.3387843. 
  20. Dal Corso, Andrea; Posternak, Michel; Resta, Raffaele; Baldereschi, Alfonso (1994). «Ab initio study of piezoelectricity and spontaneous polarization in ZnO». Physical Review B 50 (15): 10715. Bibcode:1994PhRvB..5010715D. doi:10.1103/PhysRevB.50.10715. 
  21. Look, D.C.; Hemsky, J.W.; Sizelove, J.R. (1999). «Residual Native Shallow Donor in ZnO». Physical Review Letters 82 (12): 2552. Bibcode:1999PhRvL..82.2552L. doi:10.1103/PhysRevLett.82.2552. 
  22. Janotti, A. and Van De Walle, C.G.; Van De Walle (2007). «Hydrogen multicentre bonds». Nature Materials 6 (1): 44-7. Bibcode:2007NatMa...6...44J. doi:10.1038/nmat1795. PMID 17143265. 
  23. Kato, H; Sano, Michihiro; Miyamoto, Kazuhiro; Yao, Takafumi (2002). «Growth and characterization of Ga-doped ZnO layers on a-plane sapphire substrates grown by molecular beam epitaxy». Journal of Crystal Growth. 237–239: 538. Bibcode:2002JCrGr.237..538K. doi:10.1016/S0022-0248(01)01972-8. 
  24. Ohgaki, Takeshi; Ohashi, Naoki; Sugimura, Shigeaki; Ryoken, Haruki; Sakaguchi, Isao; Adachi, Yutaka; Haneda, Hajime (2008). «Positive Hall coefficients obtained from contact misplacement on evident n-type ZnO films and crystals». Journal of Materials Research 23 (9): 2293. Bibcode:2008JMatR..23.2293O. doi:10.1557/JMR.2008.0300. 
  25. Wagner, P; Helbig, R (1974). «Halleffekt und anisotropie der beweglichkeit der elektronen in ZnO». Journal of Physics and Chemistry of Solids 35 (3): 327. Bibcode:1974JPCS...35..327W. doi:10.1016/S0022-3697(74)80026-0. 
  26. Ryu, Y. R.; Lee, T. S.; White, H. W. (2003). «Properties of arsenic-doped p-type ZnO grown by hybrid beam deposition». Applied Physics Letters 83: 87. Bibcode:2003ApPhL..83...87R. doi:10.1063/1.1590423. 
  27. Schulz, D. et al. (2008). «Inductively heated Bridgman method for the growth of zinc oxide single crystals». Journal of Crystal Growth 310 (7–9): 1832. Bibcode:2008JCrGr.310.1832S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2007.11.050. 
  28. Baruah, Sunandan; Thanachayanont, Chanchana; Dutta, Joydeep (2008). «Growth of ZnO nanowires on nonwoven polyethylene fibers». Science and Technology of Advanced Materials (free download) 9 (2): 025009. Bibcode:2008STAdM...9b5009B. doi:10.1088/1468-6996/9/2/025009. 
  29. Miao, L.; Ieda, Y.; Tanemura, S.; Cao, Y.G.; Tanemura, M.; Hayashi, Y.; Toh, S.; Kaneko, K. (2007). «Synthesis, microstructure and photoluminescence of well-aligned ZnO nanorods on Si substrate». Science and Technology of Advanced Materials (free download) 8 (6): 443. Bibcode:2007STAdM...8..443M. doi:10.1016/j.stam.2007.02.012. 
  30. Xu, S.; Wang, ZL. (2011). «One-dimensional ZnO nanostructures: Solution growth and functional properties». Nano Res. 4 (11): 1013-1098. doi:10.1007/s12274-011-0160-7. 
  31. Ying Zhou (2008). «Hydrothermal synthesis of ZnO nanorod arrays with the addition of polyethyleneimine». Materials Research Bulletin 43 (8–9): 2113-2118. doi:10.1016/j.materresbull.2007.09.024. 
  32. Cui, Jingbiao et al. (2006). «Synthesis and magnetic properties of Co-doped ZnO nanowires». Journal of Applied Physics 99 (8): 08M113. Bibcode:2006JAP....99hM113C. doi:10.1063/1.2169411. 
  33. Elen, K. et al. (2009). «Hydrothermal synthesis of ZnO nanorods: a statistical determination of the significant parameters in view of reducing the diameter». Nanotechnology 20 (5): 055608. Bibcode:2009Nanot..20e5608E. doi:10.1088/0957-4484/20/5/055608. PMID 19417355. 
  34. Saghaei, Jaber; Fallahzadeh, Ali; Saghaei, Tayebeh (June 2016). «Vapor treatment as a new method for photocurrent enhancement of UV photodetectors based on ZnO nanorods». Sensors and Actuators A: Physical 247: 150-155. doi:10.1016/j.sna.2016.05.050. 
  35. Greene; L. E. (2003). «Low-Temperature Wafer-Scale Production of ZnO Nanowire Arrays». Angew. Chem. Int. Ed. 42 (26): 3031-3032. doi:10.1002/anie.200351461. PMID 12851963. 
  36. Wu, Wan-Yu (2009). «Effects of Seed Layer Characteristics on the Synthesis of ZnO Nanowires». Journal of the American Ceramic Society 92 (11): 2718-2723. doi:10.1111/j.1551-2916.2009.03022.x. 
  37. Greene, L. E.; Law, M; Tan, DH; Montano, M; Goldberger, J; Somorjai, G; Yang, P (2005). «General Route to Vertical ZnO Nanowire Arrays Using Textured ZnO Seeds». Nano Letters 5 (7): 1231-1236. Bibcode:2005NanoL...5.1231G. doi:10.1021/nl050788p. PMID 16178216. 
  38. Hua, Guomin (2008). «Fabrication of ZnO nanowire arrays by cycle growth in surfactantless aqueous solution and their applications on dye-sensitized solar cells». Materials Letters 62 (25): 4109-4111. doi:10.1016/j.matlet.2008.06.018. 
  39. Lee, J.-H. et al. (2009). «Density-controlled growth and field emission property of aligned ZnO nanorod arrays». Appl Phys A 97 (2): 403-408. Bibcode:2009ApPhA..97..403L. doi:10.1007/s00339-009-5226-y. 
  40. Craddock; P. T. (1998). «Zinc in India». 2000 years of zinc and brass. British Museum. p. 27. ISBN 0-86159-124-0. 
  41. a b Craddock, P. T. (2008). «Mining and Metallurgy, chapter 4». En Oleson, John Peter. The Oxford Handbook of Engineering and Technology in the Classical World. Oxford University Press. pp. 111-112. ISBN 0-19-518731-8. 
  42. a b Harding, Fred John (2007). Breast Cancer: Cause – Prevention – Cure. Tekline Publishing. p. 83. ISBN 0-9554221-0-8. 
  43. "zinc." Encyclopædia Britannica. 2009 Encyclopædia Britannica. 10 March 2009
  44. Craddock, Paul Terence (2009). «The origins and inspirations of zinc smelting». Journal of Materials Science 44 (9): 2181. Bibcode:2009JMatS..44.2181C. doi:10.1007/s10853-008-2942-1. 
  45. General Information of Zinc from the National Institute of Health, WHO, and International Zinc Association. Retrieved 10 March 2009
  46. Zinc zhite. Retrieved 10 March 2009
  47. Sanchez-Pescador, R; Brown, JT; Roberts, M; Urdea, MS (Feb 11, 1988). «The nucleotide sequence of the tetracycline resistance determinant tetM from Ureaplasma urealyticum.». Nucleic Acids Research 16 (3): 1216-7. doi:10.1093/nar/16.3.1216. PMC 334766. PMID 3344217. 
  48. a b c Nav Bharat Metallic Oxide Industries Pvt. Limited. Applications of ZnO. Access date January 25, 2009.
  49. a b Moezzi, Amir; McDonagh, Andrew M.; Cortie, Michael B. (2012). «Review: Zinc oxide particles: Synthesis, properties and applications». Chemical Engineering Journal. 185–186: 1-22. doi:10.1016/j.cej.2012.01.076. 
  50. Brown, H. E. (1957). Zinc Oxide Rediscovered. New York: The New Jersey Zinc Company. 
  51. Brown, H. E. (1976). Zinc Oxide Properties and Applications. New York: International Lead Zinc Research Organization. 
  52. van Noort, Richard (2002). Introduction to Dental Materials, 2d Edition. Elsevier Health Sciences. ISBN 0-7234-3215-5. 
  53. Padmavathy, Nagarajan; Vijayaraghavan, Rajagopalan (2008). «Enhanced bioactivity of ZnO nanoparticles—an antimicrobial study». Science and Technology of Advanced Materials (free download) 9 (3): 035004. Bibcode:2008STAdM...9c5004P. doi:10.1088/1468-6996/9/3/035004. 
  54. ten Cate, JM (Feb 2013). «Contemporary perspective on the use of fluoride products in caries prevention.». British dental journal 214 (4): 161-7. doi:10.1038/sj.bdj.2013.162. PMID 23429124. 
  55. Rošin-Grget, K; Peroš, K; Sutej, I; Bašić, K (Nov 2013). «The cariostatic mechanisms of fluoride.». Acta medica academica 42 (2): 179-88. doi:10.5644/ama2006-124.85. PMID 24308397. 
  56. Li, Qun; Chen, Shui-Lin; Jiang, Wan-Chao (2007). «Durability of nano ZnO antibacterial cotton fabric to sweat». Journal of Applied Polymer Science 103: 412. doi:10.1002/app.24866. 
  57. Saito, M. (1993). «Antibacterial, Deodorizing, and UV Absorbing Materials Obtained with Zinc Oxide (ZnO) Coated Fabrics». Journal of Industrial Textiles 23 (2): 150. doi:10.1177/152808379302300205. 
  58. Akhavan, Omid; Ghaderi, Elham (2009). «Enhancement of antibacterial properties of Ag nanorods by electric field». Science and Technology of Advanced Materials (free download) 10: 015003. Bibcode:2009STAdM..10a5003A. doi:10.1088/1468-6996/10/1/015003. 
  59. British National Formulary (2008). "Section 13.2.2 Barrier Preparations".
  60. Hughes, G.; McLean, N. R. (1988). «Zinc oxide tape: a useful dressing for the recalcitrant finger-tip and soft-tissue injury» (Free full text). Arch Emerg Med 5 (4): 223-7. doi:10.1136/emj.5.4.223. PMC 1285538. PMID 3233136. 
  61. «Sunscreen». U.S. Food and Drug Administration. 
  62. Mitchnick, MA; Fairhurst, D; Pinnell, SR (1999). «Microfine zinc oxide (Z-cote) as a photostable UVA/UVB sunblock agent». Journal of the American Academy of Dermatology 40 (1): 85-90. doi:10.1016/S0190-9622(99)70532-3. PMID 9922017. 
  63. «What to Look for in a Sunscreen». The New York Times. 10 de junio de 2009. 
  64. Agren,MS (2009). «Percutaneous absorption of zinc from zinc oxide applied topically to intact skin in man». Dermatologica 1 (1): 36-9. PMID 2307275. 
  65. «Manufactured Nanomaterials and Sunscreens: Top Reasons for Precaution». 19 de agosto de 2009. Consultado el 12 de abril de 2010. 
  66. «Nano-tech sunscreen presents potential health risk». ABC News. 18 de diciembre de 2008. Consultado el 12 de abril de 2010. 
  67. Gulson, B.; McCall, M.; Korsch, M.; Gomez, L.; Casey, P.; Oytam, Y.; Taylor, A.; McCulloch, M.; Trotter, J.; Kinsley, L.; Greenoak, G. (2010). «Small Amounts of Zinc from Zinc Oxide Particles in Sunscreens Applied Outdoors Are Absorbed through Human Skin». Toxicological Sciences 118 (1): 140-149. doi:10.1093/toxsci/kfq243. PMID 20705894. 
  68. Burnett, M. E.; Wang, S. Q. (2011). «Current sunscreen controversies: A critical review». Photodermatology, Photoimmunology & Photomedicine 27 (2): 58-67. doi:10.1111/j.1600-0781.2011.00557.x. PMID 21392107. 
  69. Banoee, M.; Seif, S.; Nazari, Z. E.; Jafari-Fesharaki, P.; Shahverdi, H. R. (2010). «ZnO nanoparticles enhanced antibacterial activity of ciprofloxacin against Staphylococcus aureus and Escherichia coli». J Biomed Mater Res B Appl Biomater 93 (2): 557-61. doi:10.1002/jbm.b.31615. PMID 20225250. 
  70. Quaker cereals content. quakeroats.com
  71. Kim, Meekyung (8 de enero de 2011). «Formation of polychlorinated dibenzo- p-dioxins/dibenzofurans (PCDD/Fs) from a refinery process for zinc oxide used in feed additives: A source of dioxin contamination in Chilean pork». Chemosphere 82 (9): 1225-1229. doi:10.1016/j.chemosphere.2010.12.040. PMID 21216436. 
  72. Kuhn, H., Zinc White, in Artists’ Pigments. A Handbook of Their History and Characteristics, Vol. 1, L. Feller, Ed., Cambridge University Press, London 1986, p. 169 – 186
  73. Vincent van Gogh, 'Wheatfield with Cypresses, 1889, pigment analysis at ColourLex
  74. Bouchez, Colette. «The Lowdown on Mineral Makeup». WebMD. Consultado el 25 de enero de 2009. 
  75. US Environment Protection Agency: Sunscreen What are the active Ingredients in Sunscreen – Physical Ingredients:"The physical compounds titanium dioxide and zinc oxide reflect, scatter, and absorb both UVA and UVB rays." A table lists them as providing extensive physical protection against UVA and UVB
  76. Look Sharp While Seeing Sharp. NASA Scientific and Technical Information (2006). Retrieved 17 October 2009. JPL scientists developed UV-protective sunglasses using dyes and "zinc oxide, which absorbs ultraviolet light"
  77. Schmidtmende, L; MacManusdriscoll, J (2007). «ZnO – nanostructures, defects, and devices». Materials Today 10 (5): 40. doi:10.1016/S1369-7021(07)70078-0. 
  78. Guedri-Knani, L. et al. (2004). «Photoprotection of poly(ethylene-naphthalate) by zinc oxide coating». Surface and Coatings Technology. 180–181: 71-75. doi:10.1016/j.surfcoat.2003.10.039. 
  79. Moustaghfir, A. et al. (2004). «Sputtered zinc oxide coatings: structural study and application to the photoprotection of the polycarbonate». Surface and Coatings Technology. 180–181: 642. doi:10.1016/j.surfcoat.2003.10.109. 
  80. Cowan, R. L. (2001). «BWR water chemistry?a delicate balance». Nuclear Energy 40 (4): 245. doi:10.1680/nuen.40.4.245.39338. 
  81. Robinson, Victor S. (1978) "Process for desulfurization using particulate zinc oxide shapes of high surface area and improved strength" Patente USPTO nº 4128619
  82. Liu, X. Y.; Shan, C. X.; Zhu, H.; Li, B. H.; Jiang, M. M.; Yu, S. F.; Shen, D. Z. (2015). «Ultraviolet Lasers Realized via Electrostatic Doping Method». Scientific Reports 5: 13641. doi:10.1038/srep13641. PMC 4555170. PMID 26324054. 
  83. Zheng, Z. Q.; Yao, J. D.; Wang, B.; Yang, G. W. (2015). «Light-controlling, flexible and transparent ethanol gas sensor based on ZnO nanoparticles for wearable devices». Scientific Reports 5: 11070. doi:10.1038/srep11070. PMC 4468465. PMID 26076705. 
  84. Bakin, A. et al. (2007). «ZnMgO-ZnO Quantum Wells Embedded in ZnO Nanopillars: Towards Realisation of Nano-LEDs». Physica Status Solidi (c) 4: 158-161. Bibcode:2007PSSCR...4..158B. doi:10.1002/pssc.200673557. 
  85. Bakin, A. (2010). «ZnO – GaN Hybrid Heterostructures as Potential Cost Efficient LED Technology». IEEE (Invited Paper for a special volume), Proceedings of the IEEE 98 (7): 1281-1287. doi:10.1109/JPROC.2009.2037444. 
  86. Look, D (2001). «Recent advances in ZnO materials and devices». Materials Science and Engineering B 80: 383. doi:10.1016/S0921-5107(00)00604-8. 
  87. Kucheyev; S. O. et al. (2003). «Ion-beam-produced structural defects in ZnO». Phys. Rev. B 67 (9): 094115. Bibcode:2003PhRvB..67i4115K. doi:10.1103/PhysRevB.67.094115. 
  88. Li, Y. B.; Bando, Y.; Golberg, D. (2004). «ZnO nanoneedles with tip surface perturbations: Excellent field emitters». Applied Physics Letters 84 (18): 3603. Bibcode:2004ApPhL..84.3603L. doi:10.1063/1.1738174. 
  89. Oh, Byeong-Yun; Jeong, Min-Chang; Moon, Tae-Hyoung; Lee, Woong; Myoung, Jae-Min; Hwang, Jeoung-Yeon; Seo, Dae-Shik (2006). «Transparent conductive Al-doped ZnO films for liquid crystal displays». Journal of Applied Physics 99 (12): 124505. Bibcode:2006JAP....99l4505O. doi:10.1063/1.2206417. 
  90. Nomura, K; Ohta, H; Ueda, K; Kamiya, T; Hirano, M; Hosono, H (2003). «Thin-Film Transistor Fabricated in Single-Crystalline Transparent Oxide Semiconductor». Science 300 (5623): 1269-72. Bibcode:2003Sci...300.1269N. doi:10.1126/science.1083212. PMID 12764192. 
  91. Heo, Y. W.; Tien, L. C.; Kwon, Y.; Norton, D. P.; Pearton, S. J.; Kang, B. S.; Ren, F. (2004). «Depletion-mode ZnO nanowire field-effect transistor». Applied Physics Letters 85 (12): 2274. Bibcode:2004ApPhL..85.2274H. doi:10.1063/1.1794351. 
  92. Wang, H. T.; Kang, B. S.; Ren, F.; Tien, L. C.; Sadik, P. W.; Norton, D. P.; Pearton, S. J.; Lin, Jenshan (2005). «Hydrogen-selective sensing at room temperature with ZnO nanorods». Applied Physics Letters 86 (24): 243503. Bibcode:2005ApPhL..86x3503W. doi:10.1063/1.1949707. 
  93. Tien, L. C.; Sadik, P. W.; Norton, D. P.; Voss, L. F.; Pearton, S. J.; Wang, H. T.; Kang, B. S.; Ren, F.; Jun, J. et al. (2005). «Hydrogen sensing at room temperature with Pt-coated ZnO thin films and nanorods». Applied Physics Letters 87 (22): 222106. Bibcode:2005ApPhL..87v2106T. doi:10.1063/1.2136070. 
  94. Mofor, A. Che; El-Shaer, A.; Bakin, A.; Waag, A.; Ahlers, H.; Siegner, U.; Sievers, S.; Albrecht, M.; Schoch, W. et al. (2005). «Magnetic property investigations on Mn-doped ZnO Layers on sapphire». Applied Physics Letters 87 (6): 062501. Bibcode:2005ApPhL..87f2501M. doi:10.1063/1.2007864. 
  95. Keim, Brandon (13 de febrero de 2008). «Piezoelectric Nanowires Turn Fabric Into Power Source». Wired News (CondéNet). Archivado desde el original el 15 de febrero de 2008. 
  96. Qin, Y; Wang, X; Wang, ZL (2008). «Editor's summary: Nanomaterial: power dresser». Nature 451 (7180): 809-813. Bibcode:2008Natur.451..809Q. doi:10.1038/nature06601. PMID 18273015. 
  97. «New Small-scale Generator Produces Alternating Current By Stretching Zinc Oxide Wires». Science Daily. 10 de noviembre de 2008. 
  98. «Database of Select Committee on GRAS Substances (SCOGS) Reviews». Consultado el 3 de agosto de 2009. 
  99. Gray, Theodore. The Safety of Zinc Casting.
  100. Calvert, J. B. Zinc and Cadmium Last modified August 20, 2007.

Revisiones[editar]

  • U. Ozgur et al. "A comprehensive review of ZnO materials and devices" (103 pages) J. Appl. Phys. 98 (2005) 041301 doi 10.1063/1.1992666
  • A. Bakin and A. Waag "ZnO Epitaxial Growth" (28 pages) Chapter in “Comprehensive Semiconductor Science and Technology“ 6 Volume Encyclopaedia, ELSEVIER, edited by Pallab Bhattacharya, Roberto Fornari and Hiroshi Kamimura, ISBN 978-0-444-53143-8
  • S. Baruah and J. Dutta "Hydrothermal growth of ZnO nanostructures" (18 pages) Sci. Technol. Adv. Mater. 10 (2009) 013001 doi 10.1088/1468-6996/10/1/013001 (free download)
  • R. Janisch et al. "Transition metal-doped TiO2 and ZnO—present status of the field" (32 pages) J. Phys.: Condens. Matter 17 (2005) R657 doi 10.1088/0953-8984/17/27/R01
  • Y.W. Heo et al. "ZnO nanowire growth and devices" (47 pages) Mater. Sci. Eng. R 47 (2004) 1 doi 10.1016/j.mser.2004.09.001
  • C. Klingshirn "ZnO: From basics towards applications" (46 pages) Phys. Stat. Solidi (b) 244 (2007) 3027 doi 10.1002/pssb.200743072
  • C. Klingshirn "ZnO: Material, Physics and Applications" (21 pages) ChemPhysChem 8 (2007) 782 doi 10.1002/cphc.200700002
  • J. G. Lu et al. "Quasi-one-dimensional metal oxide materials—Synthesis, properties and applications" (42 pages) Mater. Sci. Eng. R 52 (2006) 49 doi 10.1016/j.mser.2006.04.002
  • S. Xu and Z. L. Wang "One-dimensional ZnO nanostructures: Solution growth and functional properties" (86 pages) Nano Res. 4 (2011) 1013 doi 10.1007/s12274-011-0160-7
  • S. Xu and Z. L. Wang "Oxide nanowire arrays for light-emitting diodes and piezoelectric energy harvesters" (28 pages) Pure Appl. Chem. 83 (2011) 2171 doi 10.1351/PAC-CON-11-08-17

Enlaces externos[editar]