Modelo EKV

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El modelo EKV es un modelo matemático de transistores MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) de efecto campo. Está pensado para simular circuitos electrónicos y para facilitar el diseño de circuitos analógicos.[1]

Historia[editar]

Fue desarrollado en principio por C. C. Enz, F. Krummenacher, y E. A. Vittoz (de aquí el nombre EKV) sobre 1995, tomando como base trabajos previos realizados en la década de 1980 [2] [3] [4] . Al contrario que modelos más simples (como el modelo cuadrático), el modelo EKV es preciso incluso cuando el MOSFET opera en la región subumbral (es decir, si V_{bulk}=V_{source} entonces el MOSFET está en la región subumbral cuando  V_{gate-source} < V_{Threshold}). Además, el modelo incorpora muchos de los efectos que aparecen en las tecnologías de fabricación submicrónicas. Como ventaja frente a otros modelos como el BSIM, podemos citar su reducido número de parámetros, y que permite cálculos manuales.

Formulación[editar]

Referencias[editar]

  1. Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications", Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design 8: 83-114, July 1995
  2. Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "A CMOS Chopper Amplifier", IEEE Journal of Solid-State Circuits 22 (3): 335-342, June 1987
  3. Oguey, H. J. & Cserveny, S., "Modele du transistor MOS valable dans un grand domaine de courants", Bull. SEW VSE , February 1982
  4. Oguey, H. J. & Cserveny, S., "MOS modelling at low current density", Summer Course on "Process and Device Modelling" ,ESAT Leuven-Heverlee, Belgium, June 1983

Véase también[editar]

Enlaces externos[editar]