Memoria FRAM

De Wikipedia, la enciclopedia libre
Saltar a: navegación, búsqueda

La RAM ferroeléctrica (FeRAM, F-RAM o FRAM) es una memoria de estado sólido, similar a la memoria RAM, pero que tiene un funcionamiento más parecido a las antiguas memorias de ferrita.

Esta memoria, en lugar de preservar la carga de un microscópico condensador, contiene dentro moléculas que preservan la información por medio de un efecto ferroeléctrico.

Características[editar]

  • Tiempo de acceso corto: debido a su funcionamiento, tienen velocidades (del orden de la centena de nanosegundos) que las habilitan para trabajar como memoria principal con la mayoría de los microprocesadores.
  • Lectura destructiva: como todas las memorias ferroeléctricas, la lectura es destructiva. Esto no representa un problema, ya que el chip se encarga de reescribir los datos luego de una lectura.
  • No volátiles: su funcionamiento hace prescindibles los refrescos y la alimentación para la retención de datos.
  • Encapsulados: se consiguen hoy en día tanto en variedades para trabajo en paralelo (para conectar a un bus de datos) como en serie (como memoria de apoyo).

Enlaces externos[editar]