Discusión:Ley de masas

De Wikipedia, la enciclopedia libre
Saltar a: navegación, búsqueda

Necesito saber si existe alguna diferencia entre: ley de masas y ley de acción de masas. si es que la hay, ¿en q temas estan incluidas cada una de estas?

Respuesta[editar]

Hola usuario, no te has identificado, supongo que eres nuevo. No tengas ninguna duda en registrate en wikipedia. La respuesta es rápida. Ley de masa y ley de accion de masas, en química son sinonimos. Lamentablemente, el artículo en cuestion, se encuentra muy mal redactado y hay un parrafo en el medio que desvirtua totalmente el tema introduciendo acerca de los semiconductores, tema que tiene mayor competencia en química del estado sólido o mineralogía, que aquí.

Momentaneamente, Wikipedia, no tiene articulos redactados muy buenos en fisicoquimica acerca de equilibrio químico con respecto del fundamento teórico. Mi sugerencia es que vayas a la fuente original. Chang Raymond, Química, McGraw Hill. (versión en español). Que es un best seller en Química general donde encontrarás informacion simple y facil de entender sobre el tema.

Si consideras que tu respuesta no ha sido contestada a plenitud, permiteme constestarte ahora.

Le ley de accion de masas o la ley de masas (en química) es una propuesta de dos cientificos noruegos Cato Guldberd y Peter Waage a mediados del siglo XIX (especificamente en 1864), donde establecieron que a temperatura constante, y en una reaccion reversible en equilibrio químico, la relación determinada de las concentraciones de los productos dividido de los reactantes, elevado a su coeficiente estequiometrico tiene un valor constante.

Sin embargo el tema puede ser totalmente diferente si tu preguntas por ley de accion de masas en los semiconductores, que tiene una formula y apreciacion matemática totalmente distinta. Pero suponiendo los principios de las leyes de Guldberg y Waage acerca de las bandas de valencia.

Para complementar la explicacion anterior, si el numerador es mucho mayor que el denominador, el equilibrio se desplaza hacia la derecha de la reaccion favoreciendo la aparicion de productos, en caso contrario (si el denominador es mayor), se favorece la aparicion de reactantes.

Regresando a lo anterior, propongo que sea fusionado este artículo de ley de masas con ley de acción de masas donde prevalesca el titulo del ultimo articulo y sea borrado el segundo parrafo, en un plazo de no mayor de una semana, en caso contrario tomaré la iniciativa e iniciare el proceso de fusión. ¿Comentarios? - Las causas perdidas son aquellas por las que vale la pena luchar - Clarence Darrow Semper fidelis , CleverChemist (discusión) 07:34 10 mar 2008 (UTC)

Parrafo borrado[editar]

Se ha borrado el siguiente parrafo incluyendo una frase dicha en mayusculas, y la pegare tal cual se encontraba.


Al añadir impurezas del tipo n a un semiconductor intrínseco para formar un semiconductor extrinseco tipo n, disminuye el número de huecos que se generaban (pares electrón-hueco) en el semiconductor intrínseco (sin dopar) a la misma temperatura.

Análogamente, en los casos de dopar con impurezas de tipo p disminuye la cantidad de electrones libres (producción de pares electrón-hueco) con respecto a lo que se tenía en el semiconductor intrínseco a igual temperatura.

Sabemos que tanto los electrones como los huecos adquieren cierta energía cinética que les permite moverse en el interior del cristal, pero el tiempo de vida de esos portadores no es infinito y una parte importante de ellos esta sometida a procesos de recombinación, mediante los cuales un electrón pasa a ocupar el nivel correspondiente a un hueco, desapareciendo tanto el electrón como el hueco y liberando al mismo tiempo energía.

Para un semiconductor en equilibrio térmico los procesos de recombinación están compensados por la generación de nuevos pares de electrón-hueco debido a la excitación térmica. Sea un semiconductor intrínseco en equilibrio térmico a cierta temperatura T. Sean R(T) y G(T) respectivamente R(T): número de portadores que se recombinan por unidad de tiempo G(T): número de portadores que se regeneran por unidad de tiempo por ser una situación de equilibrio resulta R(T)=G(T) Las funciones R(T)y G(T) son crecientes en función de T, ya que a mayor temperatura mayor es la cantidad de electrones que se exitan a la banda de conducción y también mayor es el número de electrones que se desexitan a la banda de valencia. Entonces según la ecuación R(T)=G(T), en la situación de equilibrio térmico, la concentración de electrones en la banda de conducción y de huecos en la banda de valencia se mantiene constante en el tiempo.

Pero si el semiconductor se encuentra dopado, los procesos de combinación y recombinación modifican notablemente la concentración de portadores (electrón y hueco) en el interior del semiconductor, con respecto al semiconductor intrínseco.

Así, al agregar una concentración Nd de impurezas donadoras en cantidad suficiente, tendremos a temperatura ambiente n=Nd, es decir el valor se incrementa hasta igualar aproximadamente el valor de Nd, siendo n= concentración de portadores negativos.

Este aumento en la concentración de electrones en la banda de conducción, produce una disminución en la cantidad de huecos, ya que aumenta la probabilidad de que se produzcan recombinaciones. Algo similar ocurre si se agregan impurezas aceptoras en una concentración Na. En ese caso el valor de p aumenta hasta el valor de Na, es decir p=Na. Siendo p: concentración de portadores positivos. Al mismo tiempo n disminuye. Supongamos un semiconductor con agregado de impurezas donadoras en una concentración Nd y tratemos de calcular la concentración de huecos en el semiconductor. Podemos suponer que la velocidad de recombinación es proporcional a la cantidad de electrones presentes en la banda de conducción y a la de huecos en la banda de valencia. De modo que: R=r.n.p ; donde r: es una constate de proporcionalidad Teniendo en cuenta que a una temperatura dada R(T)=G(T) (en equilibrio térmico) y que para cualquier temperatura R(T)y G(T)se mantienen constantes, la ecuación se puede escribir: n.p=C(T); siendo C: constante a cada temperatura. Es decir que el producto n.p es una constante para cada temperatura. Esto quiere decir que para un semiconductor determinado el producto n.p se mantiene constante mientras no cambie T. No depende de nada más. Esta ecuación no solo es valido para el caso extrinseco sino también para el caso intrínseco. Más aún, para un material dado, sea semiconductor intrínseco o dopado, el valor de la constante debe ser el mismo. Para calcular ese valor, se extiende la validez de la fórmula anterior al caso intrínseco, en el que se cumple n=p=ni (en caso de equilibrio térmico); siendo: ni=concentración de electrones en la banda de conducción, o de huecos en la banda de valencia. Entonces: n.p=ni.ni=constante(T) De aquí tenemos n.p=ni(T).ni(T) LEY DE ACCION DE MASAS POR ESO DEBEMOS SABER CUAL ES EL SIGNIFICADO DE LAS SIGLAS PARA PODER COMPRENDER MEJOR EL TEMA

Propongo transferir dicho parrafo a un nuevo articulo como Ley de masas (semiconductor) o como tema para quimica del estado solido. Pues es un tema totalmente diferente. A lo que hace mencion dicho parrafo es más hacia la siguiente formula.

\mbox {np}=n^{log2}\,. Donde n, constituye la concentracion o cantidad de electrones en la banda de conduccion mientras que p, a la banda de valencia. [1] ¿Comentarios? - Las causas perdidas son aquellas por las que vale la pena luchar - Clarence Darrow Semper fidelis , CleverChemist (discusión) 07:51 10 mar 2008 (UTC)

cintia gonzalez